升高退火溫度(>700℃),可以觀測到明顯的漏電流,使得LED反向特性變差,原因EP1C3TC144-8在于Au(甚至Ni)在高溫下擴散到LED的有源區(qū),尤其是在GaN材料中有位錯的區(qū)域更容易產生這種內擴散。試驗證明,長期使用這種LED后,其正向電壓也會變差,如工作電壓升高等。

   在Ni/Au接觸的基礎上人們?yōu)榱嗽黾与娏鲾U展和提高反射率,在接觸金屬上再鍍上高反射率的Ag或者Al膜。

   人們發(fā)展了各種復合插入層作為p面接觸并且具有較高的反射率。Jt】nc-O song等人Ⅱ]報道了用Ag(3nm)/ITo(lOOnm)作為Al基反射膜系的插入層,與p-GaN形成歐姆接觸的大功率倒裝LED芯片。Ag/ITo首先在空氣中530℃和630℃退火1min,之后再沉積

⒛OnlnAl反射鏡,然后在330℃下真空氛圍退火5mh。退火后的Ag/ITo/Al與p-GaN的接觸電阻低至10犭Ω・cm2,在弱Ollm下的反射率為85%,20mA下/l為3.29~3.37V。試驗測試證明此接觸具有較高的反射率和較好的熱穩(wěn)定性,如圖5-19所示,為該體系的反射率曲線和俄歇深度曲線(AugCr dcpth pro丘lc)。