Ni/Au體系退火時(shí)間超過一定時(shí)間限度(一般為3min)后,電極接觸電阻隨退火時(shí)間增加而逐漸增大。同時(shí)還能觀察到o、Ni原子濃度比也呈現(xiàn)相同變化趨勢。EP1C3T144C8N經(jīng)α氛圍退火得到的LED比N2氛圍下的LED壽命低兩個(gè)數(shù)量級。因此,Ni叢u在o氛圍中退火后,可以得到很低的歐姆接觸,但是其熱穩(wěn)定性變差了。原因可能是在o氛圍下形成的Nio與p-GaNˉ的分離、N⒑層電阻率的增大或者絕緣的無定形態(tài)Ga~O增加;

  光透射率對Au層的厚度敏感,影響了LED的光提取效率

   N∥Au電極中隨Au層的厚度增加,透射率有較大幅度的衰減,該體系中的Ni0對于光線是透明的,而不連續(xù)的Au島對光線的傳輸產(chǎn)生影響;