Ja-YcOla⒗m(xù)等D刀設(shè)計(jì)試驗(yàn)研究了以Ag/Al合金作為p-⒍Ⅸ高反射率接觸的LED倒裝芯片。Ag/A1表現(xiàn)出與⒉G淵很好的黏附性,并且無(wú)球聚發(fā)生。 EP1C3T144C8N圖5-21左圖上排是Ag基倒裝芯片(Ag基FC LED)退火前后的表面形貌,左圖下排Ag/A1合金作為反射層的倒裝芯片(Ag/A1基FC LED)退火前后的表面形貌,明顯退火后Ag/Al基FCLED表面粗糙度比Ag基FC LED的小;右圖上下排分別是Ag基FC LED、Ag/Al基FC LED的俄歇電子能譜-深度曲線(xiàn),從曲線(xiàn)中可以看出,Ag/Al基FC LED表面同時(shí)有0和~Al的存在。通過(guò)觀察表面形貌和測(cè)試俄歇電子能譜深度曲線(xiàn)(如圖5-21所示)認(rèn)為在表面川被氧化和在Ag/Al界面Al被氧化而使的Ag/Al合金倒裝LED具有很好的熱穩(wěn)定性。

   圖5-21 左圖上排(a)、 (b)、 (c)是Ag基倒裝芯片(Ag基FC LED)退火前后的表面形貌,左圖下排(d)、 (c)、 (f)Ag/Al合金作為反射層的倒裝芯片(Ag/Al基FC LED)退火前后的表面形貌;右圖(a)、 (b)分別是Ag基FC LED、Ag/A1基FC LED的俄歇電子能譜-深度曲線(xiàn)

對(duì)于紫光特別是紫外GaN基LED,Ag的反射率很低,不再適合作為反射金屬。川是很好的反射金屬,在紫外光譜區(qū)的反射率達(dá)呢%,但是因?yàn)槠浜艿偷墓瘮?shù)(4,26cV),使得其不能與p-GaN形成歐姆接觸。Pd可以形成很好的歐姆接觸,但是其反射率很低,在紫外區(qū)約40%。N。Lobo等人卩刨為了提高光提取效率,設(shè)計(jì)用納米像素分布的P接觸氮化物,其結(jié)構(gòu)包含Pd歐姆接觸像素陣列和Al反射層。如圖5-”所示。通過(guò)調(diào)整像素Pd點(diǎn)的大小(圖中`表示)、間距(圖中〃表示)與電流的擴(kuò)展距離匹配后,與大面積Pd方塊接觸樣品相比,新的設(shè)計(jì)中光增強(qiáng)至兩倍。