分布布拉格反射鏡(DBR)是以ABABAB・……形式交FM25640-G 錯(cuò)生長(zhǎng)的若干對(duì)兩種(或者兩種以上)的半導(dǎo)體或介質(zhì)材料,以此來獲得對(duì)某一光學(xué)波段的高反射率。制作布拉格反射鏡需要選擇折射率大和折射率小的兩種材料分別作為交錯(cuò)生長(zhǎng)的膜層,它們對(duì)入射光是透明的。因此用于做DBR的材料有兩種:半導(dǎo)體材料和介質(zhì)材料。在LED芯片制作領(lǐng)域中,用半導(dǎo)體材料做DBR最長(zhǎng)用在GaAs襯底AlGaInP四元系紅黃光LED上,因?yàn)镚aAs對(duì)紅黃光是不透明的,因此做成垂直結(jié)構(gòu)LED紅黃光LED時(shí),在外延生長(zhǎng)時(shí)將DBR結(jié)構(gòu)制作 好,可以一方面用于導(dǎo)通電流制備垂直結(jié)構(gòu)LED,另一方面用于反射有源區(qū)朝下發(fā)射的光,避免不透光的GaAs襯底吸光導(dǎo)致光損失。但是半導(dǎo)體材料之間的折射率差別較小,所以用半導(dǎo)體材料做DBR通常需要較多的層數(shù)才能得到高反射率。而且在采用半導(dǎo)體材料做成DBR時(shí),采用兩個(gè)禁帶寬度不同的半導(dǎo)體做DBR時(shí),半導(dǎo)體之間會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)帶及價(jià)帶的帶偏移,以致在界面處產(chǎn)生勢(shì)壘,阻礙載流子的流通。同時(shí)用半導(dǎo)體材料做DBR時(shí)還要求襯底和它們之間晶格匹配以減小應(yīng)力。用介質(zhì)材料做DBR,可以選擇折射率相差較大的材料來制備,因此用較少的對(duì)數(shù)就可以實(shí)現(xiàn)較高的反射率。

   用于制作DBR的兩種材料的折射率差值越大,DBR的反射帶寬越寬,達(dá)到一定反射率所需要生長(zhǎng)的材料對(duì)數(shù)也越少。設(shè)襯底的折射率為刀s,高折射率膜層折射率為r9H,低折射率膜層折射率為rcL,整個(gè)體系處的環(huán)境材料折射率為P9A,如果整個(gè)體系處在空氣中,則

刀A=1。為了達(dá)到更高的反射率,最外層為高折射率膜層,而當(dāng)膜層總數(shù)為偶數(shù)(2〃)時(shí),反射率.