平坦化是在基片的有源晶體管和其他組件中形成的（通常是硅）．j在201 1年， A40MX02-PL68英特爾公列宣布r具有源晶體管的柵極堆疊在晶圓上的一個新的j維(3D)器件，該器件被稱為i柵晶體管、，通過增加?xùn)艠O的表面積，該器件的性能得以增強(qiáng)（見第16章）、為通孔塞    M1為第一層金屬    M2為第二層金屬經(jīng)過平坦化I：藝具有兩種金屬的VI,SI典型結(jié)構(gòu)的截面圖，它顯示r經(jīng)過平坦化T：藝后通孔深度的范圍（經(jīng)Solid State TechnoMgy允許）網(wǎng)1. 14隨著英特爾重新使用的微芯片三柵晶體管變成3D器件

    半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會的發(fā)展藍(lán)圖

   主要的集成電路參數(shù)是相互關(guān)聯(lián)的．摩爾定律預(yù)言了未來元件的密度，由此引發(fā)了集成度水平（元件密度）、芯片尺寸、缺陷密度（尺寸）和所要求的內(nèi)部連線數(shù)量水平的計(jì)算。半導(dǎo)體產(chǎn)、地協(xié)會和伙伴已將這些列入未來半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖( International Technology

Roadmap  of Semiconductors)，覆蓋這些和其他關(guān)鍵器件以及生產(chǎn)參數(shù)。除了預(yù)測的元器件、藝和晶圓參數(shù)，它確定需要支持先進(jìn)的元器件相伴的材料和設(shè)備未來的性能標(biāo)準(zhǔn)。