晶圓工廠的投資巨大（10~ 30億美元并且還在增長），其設(shè)備和工藝開發(fā)同樣耗資巨大、AAT3110IJS-5.0-T1在研發(fā)0.35 ht,m以下的技術(shù)時(shí)，X射線和深紫外線(DUV)光刻或傳統(tǒng)光刻技術(shù)的改進(jìn)都是巨大的開銷，同樣，在生產(chǎn)中也開銷巨大．

   半導(dǎo)體協(xié)會(huì)技術(shù)發(fā)展路線圖( IRTS)的挑戰(zhàn)是要求生產(chǎn)下一代芯片的許多工藝還處于未知或非常原始的開發(fā)狀態(tài)。然而，好消息是產(chǎn)業(yè)正沿著演變的曲線而不是依靠革命性的突破向前推進(jìn)．．工程師在學(xué)會(huì)如何以技術(shù)色躍來解決問題之前，正從工藝過程中挖掘生產(chǎn)力。這

是工業(yè)成熟的另外一個(gè)信號(hào)。

   主要技術(shù)改變就是銅連線9。。鋁連線在幾個(gè)方面顯現(xiàn)出局限性，特別是和硅的接觸電阻。銅是…種較好的材料，但它不易沉積和刻蝕，如果它接觸到硅，會(huì)對(duì)電路造成致命的影響。IBM開發(fā)出了實(shí)用的銅工藝（見第10章和第13章），并在20世紀(jì)90年代末幾乎立刻被

業(yè)界所接受。

   微觀技術(shù)在公眾的感覺中意味著“小”，在科學(xué)中是指十億分之一。因此，特征圖形尺寸和柵條的寬度以微米( micrometer)來表示，如0.018 ym。納米(1×10』m)正在被廣泛使用，I：述的柵條寬度則力180 nm（見圖1.17）。1叫。

   在半導(dǎo)體協(xié)會(huì)的國際技術(shù)發(fā)展路線圖( ITRS)中，對(duì)半導(dǎo)體通向未來納米的道路做了描繪。柵條的寬度到2016年會(huì)達(dá)到10 nm或更小。到達(dá)這些量級(jí)，器件的工作部分僅由幾個(gè)原子或分子組成。

   這并不容易實(shí)現(xiàn)。隨著器件尺寸變得更小，會(huì)有一系列可預(yù)見的事情，其優(yōu)點(diǎn)是更快的運(yùn)行速度和更高的密度。然而，更小的尺寸要求更潔凈的環(huán)境、增加工藝控制、更精密的圖形化設(shè)備及更多的事項(xiàng)。