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同質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管具有結(jié)構(gòu)簡單

發(fā)布時間:2016/11/1 20:56:10 訪問次數(shù):1989

   同質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管具有結(jié)構(gòu)簡單、制作容M48T02-100PC1易等優(yōu)點,但現(xiàn)在幾乎不再實際使用,主要原因如下:

   正向偏壓下的過剩少子將會繼續(xù)擴(kuò)散,其程度由電子擴(kuò)散長度Ze與空穴擴(kuò)散長度‰決定。通常擴(kuò)散長度遠(yuǎn)大于耗盡區(qū)厚度,造成有源區(qū)內(nèi)過剩載流子濃度難以提高。內(nèi)量子效率的式(3,“)可以改寫為公式(4,12):

   式中,△為內(nèi)量子效率;/為間接復(fù)合系數(shù)、B為輻射復(fù)合系數(shù)、C為俄歇(Augcr)復(fù)合系數(shù)。俄歇復(fù)合是指電子和空穴復(fù)合后將能量轉(zhuǎn)移給另一個電子并使該電子躍遷至更高能級的過程,屬于非輻射復(fù)合,通常發(fā)生在高注入載流子密度狀態(tài)下;間接復(fù)合


(Sho次lcy-Hall-Rcad,簡稱SHR復(fù)合)則是通過禁帶中央附近的復(fù)中心而發(fā)生的復(fù)合,也屬于非輻射復(fù)合。室溫下,常用的直接帶隙Ⅲ-V族半導(dǎo)體材料的輻射復(fù)合系數(shù)B為109~1011Gm3/s,遠(yuǎn)大于間接帶隙半導(dǎo)體材料的輻射復(fù)合系數(shù),見表41。由式(4。⒓)可知內(nèi)量子效率正比于輻射復(fù)合率及載流子濃度的平方,而同質(zhì)結(jié)發(fā)光工極管有源區(qū)過剩載流子濃度較低,致使其內(nèi)量子效率很低。

   表41 常用半導(dǎo)體材料的參數(shù)

  

 

   同質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管具有結(jié)構(gòu)簡單、制作容M48T02-100PC1易等優(yōu)點,但現(xiàn)在幾乎不再實際使用,主要原因如下:

   正向偏壓下的過剩少子將會繼續(xù)擴(kuò)散,其程度由電子擴(kuò)散長度Ze與空穴擴(kuò)散長度‰決定。通常擴(kuò)散長度遠(yuǎn)大于耗盡區(qū)厚度,造成有源區(qū)內(nèi)過剩載流子濃度難以提高。內(nèi)量子效率的式(3,“)可以改寫為公式(4,12):

   式中,△為內(nèi)量子效率;/為間接復(fù)合系數(shù)、B為輻射復(fù)合系數(shù)、C為俄歇(Augcr)復(fù)合系數(shù)。俄歇復(fù)合是指電子和空穴復(fù)合后將能量轉(zhuǎn)移給另一個電子并使該電子躍遷至更高能級的過程,屬于非輻射復(fù)合,通常發(fā)生在高注入載流子密度狀態(tài)下;間接復(fù)合


(Sho次lcy-Hall-Rcad,簡稱SHR復(fù)合)則是通過禁帶中央附近的復(fù)中心而發(fā)生的復(fù)合,也屬于非輻射復(fù)合。室溫下,常用的直接帶隙Ⅲ-V族半導(dǎo)體材料的輻射復(fù)合系數(shù)B為109~1011Gm3/s,遠(yuǎn)大于間接帶隙半導(dǎo)體材料的輻射復(fù)合系數(shù),見表41。由式(4。⒓)可知內(nèi)量子效率正比于輻射復(fù)合率及載流子濃度的平方,而同質(zhì)結(jié)發(fā)光工極管有源區(qū)過剩載流子濃度較低,致使其內(nèi)量子效率很低。

   表41 常用半導(dǎo)體材料的參數(shù)

  

 

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