人體放電模式是模擬因在地面走動(dòng)摩擦或其他因素在人體上累積的靜電,當(dāng)去觸碰到LED芯片時(shí),人體上的靜電便會(huì)傳遞給芯片,如圖4-38(a)所示。AT24C08N-SI2.7此放電的過程會(huì)在短到幾百毫微秒(ns)的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流c機(jī)器放電模式的EsD是模擬機(jī)器(例如機(jī)械手臂)本身累積了靜電,當(dāng)此機(jī)器碰觸到LED芯片時(shí),該靜電便傳遞給芯片,如圖4-38(b)所示。囚為機(jī)器是金屬,其等效電阻近似為0Ω、等效電容約為⒛OpF。由于機(jī)器放電模式的等效電阻為0,故其放電的過程更短,在幾毫微秒到幾十毫微秒之內(nèi)會(huì)有數(shù)安培的瞬間放電電流產(chǎn)生。

    同樣的測試電壓下,機(jī)器模式比人體模式的放電電流大很多,因此機(jī)器放電模式對(duì)LED芯片的破壞力更大。經(jīng)驗(yàn)表明,為達(dá)到近似的效果,人體模式下的測試電壓需要為機(jī)器模式下的8~10倍。

隨材料質(zhì)量和芯片工藝的不管提高,GaN基LED的抗ESD能力己大為進(jìn)步。人體模

   式測試條件下,己從初期的500V提高到了⒛O0~ωOOV,最高可達(dá)8000V。盡管LED芯片的抗ESD能力已得到大的提高,但在芯片的制造、測試、運(yùn)輸、包裝乃至封裝、使用過程中仍需注意靜電的防護(hù)。主要措施包括:①生產(chǎn)測試車間應(yīng)鋪設(shè)防靜電地板并做好接地;②生產(chǎn)機(jī)臺(tái)、I作臺(tái)應(yīng)為防靜電型,且接地良好;③操作員應(yīng)穿防靜電服、帶防靜電手環(huán)、手套或腳環(huán);④工作面處應(yīng)配備離子風(fēng)扇;⑤焊接電烙鐵需接地;⑥包裝應(yīng)采用防靜電材料。⑦高端應(yīng)用的LED應(yīng)并聯(lián)齊納二極管,防止靜電損傷。