倒裝結(jié)構(gòu)芯片(FC,FⅡ Chip)與正裝芯片的區(qū)別是由芯片背面朝上出光,即藍(lán)寶石襯底表面出光(圖5-28所示),而p型G洲層則變成了光反射面,其底部常裝有反光的p極觸片。 K3RG2G20BM-MGCH倒裝芯片是用倒裝焊的方式將分離開的芯片分別倒扣焊接在新的襯底(一般為硅襯底)表面,p型GaN外延層和n型GaN外延層表 面分別制作出共晶焊的金導(dǎo)電層和及引出導(dǎo)線 n極觸片= MQW發(fā)光層。倒裝結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是外延層直接與新襯底(硅)接觸,新襯底具有導(dǎo)電性和更高的熱導(dǎo)率(1翎Wm lK1)可以為芯片提高電流驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路和散熱通等。同時(shí),倒裝后藍(lán)寶石 襯底朝⊥,成為出光面,而藍(lán)寶石是透明的,   圖5~28能夠獲得更多的有效出光。p型GaN夕卜延層表 面的金屬反光層能夠?qū)⒂性磳酉蛳掳l(fā)出的光反射向上,通過出光面向外發(fā)射,而提高了芯片的出光效率。倒裝結(jié)構(gòu)芯片雖然采用了熱導(dǎo)率良好的新襯底,出光效率也有了較大的提高,但是實(shí)際芯片的導(dǎo)熱能力還受焊點(diǎn)的焊接質(zhì)量和焊接面積影響。并且倒裝結(jié)構(gòu)GaN基芯片仍然是橫向結(jié)構(gòu),還存在電路擁擠現(xiàn)象,這限制了驅(qū)動(dòng)電流的進(jìn)一步提升。倒裝結(jié)構(gòu)的封裝基于倒裝焊技術(shù),在傳統(tǒng)LED芯片基礎(chǔ)上減少了引線鍵合工藝,省去了導(dǎo)線架和打線,僅通過芯片搭配熒光粉和封裝膠使用,減小了封光發(fā)射 裝體積,簡(jiǎn)化了LED器件設(shè)計(jì)。