納米壓印技術(NIL,Nano-Imprint Ⅱthography)

納米壓印技術突破了傳統(tǒng)光刻在特種尺寸減小過程中的難題,具有分辨率高、G2PM109N-ALF低成本和高產率的特點。其基本原理是通過硅或其他模板,將圖形通過熱壓或者輻照的方法,以薄的聚合物膜為媒介轉移到襯底表面。整個流程包括壓印和圖形轉移兩個過程,如圖5-39所示。苜先在藍寶石襯底表面利用PECVD方法沉積5nm厚度的si3N4薄膜(見圖5-39(a)),并旋涂一層聚合物薄膜以增加silN4薄膜與光刻膠的結合力;然后涂抹光刻膠并在110℃軟烘2min,利用納米柱形硅模板在10kN的力作用下進行壓印(見圖5-39(b)),獲得具有表面圓孔結構si3忄電掩膜(見圖5-39(c)),原子力顯微鏡觀察表明⒐3N4掩膜表面形成直徑為硐Onm的孔洞結構(見圖5-39(d));最后進行ICP刻蝕,可以獲得直徑為們0nm的均勻圓孔陣列。