oLED器件需要在高真空腔室中蒸鍍多層有機(jī)薄膜,薄膜的質(zhì)量關(guān)系到器件質(zhì)量和壽命。 E2457NL在高真空腔室中設(shè)有多個(gè)放置有機(jī)材料的蒸發(fā)舟,加熱蒸發(fā)舟蒸鍍有機(jī)材料,并利用石英晶體振蕩器來(lái)控制膜厚。ITo玻璃基板放置在可加熱的旋轉(zhuǎn)樣品托架上,其下面放置的金屬掩膜板控制蒸鍍圖案。

   一般有機(jī)材料的蒸發(fā)溫度一般在170°C~400℃之間、ITO樣品基底溫度在100℃~150℃、蒸發(fā)速度約0.hm~1nn△s、蒸發(fā)腔的真空度在5×10彳Pa~3×10叫Pa時(shí)蒸鍍的效果較佳。單色膜厚通過(guò)晶振頻率點(diǎn)數(shù)和蒸發(fā)舟擋板聯(lián)合控制,而三色則通過(guò)掩膜板來(lái)控制。

但是,有機(jī)材料的蒸鍍目前還存在材料有效使用率低(<10%)、摻雜物的濃度難以精確控制、蒸鍍速率不穩(wěn)定、真空腔容易污染等不足之處,從而導(dǎo)致樣片基板的鍍膜均勻度達(dá)不到器件要求。流程如下: