iTo的光刻處理工藝
發(fā)布時間:2016/11/16 21:04:16 訪問次數(shù):1682
光刻I序從基板投片開始,經過清洗、涂膠、烘干、曝光、顯影、蝕刻、脫膜等E2452NL工藝手段,在基板上形成Cr等金屬輔助電極圖案、ITO圖案、絕緣層(hsulator)圖案、陰極隔離柱(scpCratOr)圖案等四部分圖案成形組成,具體如下:
第一次光刻:⒍圖案的成型
以上工序中的涂膠、軟烘、對準曝光、顯影、硬烘一般需要在猙房潔凈度100級,溫度23±3℃,濕度50±10%RII的黃光區(qū)中進行;預/主清洗、C〃ITo蝕刻在凈房潔凈度1000級,溫度23±3℃,濕度50±10%RII的白光區(qū)進行。上述是oLED顯示基板工序,用于oLED照明的基板工序可以簡化些,主要是對ITo層進行處理形成電極圖案。
光刻I序從基板投片開始,經過清洗、涂膠、烘干、曝光、顯影、蝕刻、脫膜等E2452NL工藝手段,在基板上形成Cr等金屬輔助電極圖案、ITO圖案、絕緣層(hsulator)圖案、陰極隔離柱(scpCratOr)圖案等四部分圖案成形組成,具體如下:
第一次光刻:⒍圖案的成型
以上工序中的涂膠、軟烘、對準曝光、顯影、硬烘一般需要在猙房潔凈度100級,溫度23±3℃,濕度50±10%RII的黃光區(qū)中進行;預/主清洗、C〃ITo蝕刻在凈房潔凈度1000級,溫度23±3℃,濕度50±10%RII的白光區(qū)進行。上述是oLED顯示基板工序,用于oLED照明的基板工序可以簡化些,主要是對ITo層進行處理形成電極圖案。
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