中頻電源對(duì)逆變觸發(fā)電路的要求
發(fā)布時(shí)間:2016/11/20 15:11:18 訪問次數(shù):553
中頻電源對(duì)逆變觸發(fā)電路的要求。
①具有自動(dòng)調(diào)頻的能力。中頻電MAX1132BCAP源在熔煉和加熱過程中,由于負(fù)載回路的參數(shù)不斷變化,因此負(fù)載回路的固有諧振頻率也不斷變化。為了保證中頻電源始終運(yùn)行于最佳狀態(tài),要求觸發(fā)電路的輸出脈沖頻率能自動(dòng)隨著負(fù)載頻率的變化而變化,即具有自動(dòng)跟蹤的能力。
②觸發(fā)脈沖的產(chǎn)生必須在中頻電壓過流零之前的適當(dāng)時(shí)刻產(chǎn)生,這一時(shí)刻必須在中頻電源運(yùn)行過程中始終保持恒定。
③觸發(fā)脈沖寬度⒛△.s(石u(⒛01t。s,^般設(shè)計(jì)在50~100u。
④觸發(fā)脈沖必須正確分成兩列互差180°電角度,以保證輪流觸發(fā)晶閘管Ⅴ田、ⅤD10和晶閘管ⅤD8、ⅤD9。
⑤觸發(fā)脈沖必須具有一定幅度,以滿足強(qiáng)觸發(fā)的要求,一般設(shè)計(jì)在4~10Ⅴ。
⑥要求脈沖的前沿陡,以保證逆變橋每臂相串的兩只晶閘管能基本同時(shí)開通。
⑦要求觸發(fā)電路具有抗干擾能力,并且電路簡(jiǎn)單,便于維修。
中頻電源對(duì)逆變觸發(fā)電路的要求。
①具有自動(dòng)調(diào)頻的能力。中頻電MAX1132BCAP源在熔煉和加熱過程中,由于負(fù)載回路的參數(shù)不斷變化,因此負(fù)載回路的固有諧振頻率也不斷變化。為了保證中頻電源始終運(yùn)行于最佳狀態(tài),要求觸發(fā)電路的輸出脈沖頻率能自動(dòng)隨著負(fù)載頻率的變化而變化,即具有自動(dòng)跟蹤的能力。
②觸發(fā)脈沖的產(chǎn)生必須在中頻電壓過流零之前的適當(dāng)時(shí)刻產(chǎn)生,這一時(shí)刻必須在中頻電源運(yùn)行過程中始終保持恒定。
③觸發(fā)脈沖寬度⒛△.s(石u(⒛01t。s,^般設(shè)計(jì)在50~100u。
④觸發(fā)脈沖必須正確分成兩列互差180°電角度,以保證輪流觸發(fā)晶閘管Ⅴ田、ⅤD10和晶閘管ⅤD8、ⅤD9。
⑤觸發(fā)脈沖必須具有一定幅度,以滿足強(qiáng)觸發(fā)的要求,一般設(shè)計(jì)在4~10Ⅴ。
⑥要求脈沖的前沿陡,以保證逆變橋每臂相串的兩只晶閘管能基本同時(shí)開通。
⑦要求觸發(fā)電路具有抗干擾能力,并且電路簡(jiǎn)單,便于維修。
熱門點(diǎn)擊
- 氣體放電的伏安特性曲線
- 漂移電流大于擴(kuò)散電流
- 分子束外延(MBE)
- 異質(zhì)結(jié)構(gòu)用于發(fā)光器件上相對(duì)同質(zhì)結(jié)構(gòu)具有明顯優(yōu)
- 觸發(fā)脈沖要有一定的寬度,前沿要陡
- 共價(jià)結(jié)合(共價(jià)鍵)
- 傳統(tǒng)OLED封裝技術(shù)
- 額定通態(tài)平均電流
- 自動(dòng)裝架
- 有機(jī)薄膜的真空蒸鍍工藝
推薦技術(shù)資料
- 高性能CMOS模擬四通道SPDT多路復(fù)用器應(yīng)
- 頂級(jí)汽車壓力傳感器信號(hào)調(diào)理芯片 (SSC)
- 通用電源管理集成電路 (PMI
- 2.4Ω低導(dǎo)通電阻
- Arm Cortex-M0+微控制器產(chǎn)品組合
- 硅絕緣體(SOI)工藝8位數(shù)字
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究