拋光設(shè)備
發(fā)布時(shí)間:2017/5/8 20:38:01 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):669
拋光設(shè)備:多片式拋光機(jī),單片式拋光機(jī)。
清洗:在晶片加I過(guò)程中很多步驟需要用到清洗,清洗有化學(xué)清洗和機(jī)械清洗。這里的M24128-BRMN6TP清洗是指拋光后的最終清洗,目的是清除晶片表面的污染物。清洗方法采用傳統(tǒng)的RCA清洗①程序。
主要清洗用化學(xué)試劑:H2S01,H202,HF,NH1OH,HCl。
檢驗(yàn):檢測(cè)晶片表面清潔度和平整度等情況。檢驗(yàn)合格的硅片就可以裝箱售出了。另外,用于集成電路的硅片通常在清洗前要做背損傷,目的是用損傷層來(lái)吸雜,主要方法有研磨、噴砂,以及重金屬離子注入。這道工序根據(jù)需要而定。損傷層能吸收金屬雜質(zhì)和點(diǎn)缺陷(間隙雜質(zhì))。
硅片規(guī)格及用途
微電子芯片生產(chǎn)廠(chǎng)家一般是直接購(gòu)買(mǎi)硅片作為襯底材料,所生產(chǎn)的芯片用途不同、品種不同,選用的硅片規(guī)格也就不同。硅片規(guī)格有多種分類(lèi)方法,可以按照硅片直徑、單晶生長(zhǎng)方法、摻雜類(lèi)型等參量和用途來(lái)劃分種類(lèi)。
拋光設(shè)備:多片式拋光機(jī),單片式拋光機(jī)。
清洗:在晶片加I過(guò)程中很多步驟需要用到清洗,清洗有化學(xué)清洗和機(jī)械清洗。這里的M24128-BRMN6TP清洗是指拋光后的最終清洗,目的是清除晶片表面的污染物。清洗方法采用傳統(tǒng)的RCA清洗①程序。
主要清洗用化學(xué)試劑:H2S01,H202,HF,NH1OH,HCl。
檢驗(yàn):檢測(cè)晶片表面清潔度和平整度等情況。檢驗(yàn)合格的硅片就可以裝箱售出了。另外,用于集成電路的硅片通常在清洗前要做背損傷,目的是用損傷層來(lái)吸雜,主要方法有研磨、噴砂,以及重金屬離子注入。這道工序根據(jù)需要而定。損傷層能吸收金屬雜質(zhì)和點(diǎn)缺陷(間隙雜質(zhì))。
硅片規(guī)格及用途
微電子芯片生產(chǎn)廠(chǎng)家一般是直接購(gòu)買(mǎi)硅片作為襯底材料,所生產(chǎn)的芯片用途不同、品種不同,選用的硅片規(guī)格也就不同。硅片規(guī)格有多種分類(lèi)方法,可以按照硅片直徑、單晶生長(zhǎng)方法、摻雜類(lèi)型等參量和用途來(lái)劃分種類(lèi)。
上一篇:硅片規(guī)格及用途
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 硅單晶電阻率與摻雜
- 與棱鏡分光和光柵分光相比,干涉分光具有如下特
- 氧化層固定電荷
- 懸浮區(qū)熔法
- 直拉法
- 雜質(zhì)對(duì)硅電學(xué)性質(zhì)的影響
- 風(fēng)云一號(hào)(FY-1)衛(wèi)星
- 硅晶體中位錯(cuò)示意圖
- 風(fēng)云二號(hào)(FY-2)衛(wèi)星
- 外延是一種生長(zhǎng)晶體薄膜的I藝技術(shù)
推薦技術(shù)資料
- 按鈕與燈的互動(dòng)實(shí)例
- 現(xiàn)在趕快去看看這個(gè)目錄卞有什么。FGA15N120AN... [詳細(xì)]
- 高性能CMOS模擬四通道SPDT多路復(fù)用器應(yīng)
- 頂級(jí)汽車(chē)壓力傳感器信號(hào)調(diào)理芯片 (SSC)
- 通用電源管理集成電路 (PMI
- 2.4Ω低導(dǎo)通電阻
- Arm Cortex-M0+微控制器產(chǎn)品組合
- 硅絕緣體(SOI)工藝8位數(shù)字
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究