基座表面氣流邊界層形成示
發(fā)布時間:2017/5/9 21:38:43 訪問次數(shù):658
外延氣體主要成分是氫氣.在T=⒛0℃時,有ρ=2,5×103釅cll1・,〃=⒛0×106釅(∞vω,v通?制在幾十αVs,外延室內(nèi)氣體的Rc只有⊥00左右,遠(yuǎn)小于臨界雷諾數(shù),因此,外延氣體處于層流狀態(tài)。 LD1117S18CTR壓力驅(qū)動層流狀態(tài)黏滯性氣體的流動應(yīng)為泊松流(Possedk Flow)。泊松流沿著垂直氣流方向,氣體的流速為拋物線型變化;砻婕胺磻(yīng)室壁面的氣體,由于受到摩擦力作用流速為零。所以,外延氣體在反應(yīng)器中流動是從進(jìn)氣端勻速流入,在垂直氣流方向以完全展開的拋物線型流速流出。
氣體中的外延劑sHJ,在基座上硅表面分解消耗掉,生長出硅外延層,故基座表面濃度最低;而沿著氣流方向sH4的濃度也逐漸降低,即進(jìn)氣端最高、出氣端最低'基座上方氣體的溫度分布正好相反,基座表面溫度最高,離開基座表面垂直于氣流方向迅速降低;而沿著氣流方向溫度將略有升高。這時,在基座表面形成邊界層,邊界層是指基座表面垂直于氣流方向上,氣流速度、反應(yīng)劑濃度、溫度受到擾動的薄氣體層。圖35所示是基座表面氣流邊界層形成示意圖。
外延氣體主要成分是氫氣.在T=⒛0℃時,有ρ=2,5×103釅cll1・,〃=⒛0×106釅(∞vω,v通常控制在幾十αVs,外延室內(nèi)氣體的Rc只有⊥00左右,遠(yuǎn)小于臨界雷諾數(shù),因此,外延氣體處于層流狀態(tài)。 LD1117S18CTR壓力驅(qū)動層流狀態(tài)黏滯性氣體的流動應(yīng)為泊松流(Possedk Flow)。泊松流沿著垂直氣流方向,氣體的流速為拋物線型變化;砻婕胺磻(yīng)室壁面的氣體,由于受到摩擦力作用流速為零。所以,外延氣體在反應(yīng)器中流動是從進(jìn)氣端勻速流入,在垂直氣流方向以完全展開的拋物線型流速流出。
氣體中的外延劑sHJ,在基座上硅表面分解消耗掉,生長出硅外延層,故基座表面濃度最低;而沿著氣流方向sH4的濃度也逐漸降低,即進(jìn)氣端最高、出氣端最低'基座上方氣體的溫度分布正好相反,基座表面溫度最高,離開基座表面垂直于氣流方向迅速降低;而沿著氣流方向溫度將略有升高。這時,在基座表面形成邊界層,邊界層是指基座表面垂直于氣流方向上,氣流速度、反應(yīng)劑濃度、溫度受到擾動的薄氣體層。圖35所示是基座表面氣流邊界層形成示意圖。
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