由于雜質(zhì)再分布現(xiàn)象使得氣相外延工藝難以獲得理想陡變的雜質(zhì)分布外延層,限制了LD2981ABU50TR該工藝在薄外延層生長方面的應(yīng)用。因此,減小進(jìn)而消除雜質(zhì)再分布現(xiàn)象一直是氣相外延工藝的一個重要研究內(nèi)容。日前,可以采取以下措施來減小雜質(zhì)再分布效應(yīng)的影響。

   ①在保證外延質(zhì)量和速度的前提下,盡量降低氣相外延生長溫度。但是,對于雜質(zhì)砷來說效果不顯著,因為砷的自摻雜程度隨著外延溫度的降低而增強(qiáng)。

   ②對于n型襯底,如果在外延之前需要進(jìn)行埋層摻雜,應(yīng)采用蒸氣壓低且擴(kuò)散速率也低的雜質(zhì)作為埋層雜質(zhì),如通常使用銻作為埋層摻雜,而不使用蒸氣壓高的砷和擴(kuò)散速率較高的磷。

   ③對于重?fù)诫s的襯底,可以使用輕摻雜的硅薄層來密封重?fù)诫s襯底的底面和側(cè)面,進(jìn)而減少雜質(zhì)的外逸,使自摻雜程度降低。

   ④進(jìn)行低壓外延,這對抑制自摻雜效應(yīng)有利。在低壓下襯底表面的邊界層變薄,襯底外逸的大部分雜質(zhì)就可以 很快擴(kuò)散穿越邊界層進(jìn)人主氣流區(qū),被主流氣體帶離反應(yīng)器,這種方法對砷和磷的抑制效果顯著,而對硼的作用不明顯。