①低缺陷密度――以降低在低電場(chǎng)下的突然性失效次數(shù)。OMAPL138BZWTA3

   ②好的抗雜質(zhì)擴(kuò)散的勢(shì)壘特性――對(duì)曠多晶硅柵

的少M(fèi)OSFET特別重要。

   ③具有低的界面態(tài)密度和罔定電荷的高質(zhì)量的  0θls/Si()2界面――低的界面態(tài)密度可保證MOSET有理線性區(qū)怏速初始氧化階段.

   ④在熱載流子應(yīng)力和輻射條件下的穩(wěn)定性――當(dāng)圖四2 氧化層厚度J彌、與扌之間的實(shí)驗(yàn)結(jié)果MOSFET按比例減小時(shí),溝道橫向的高電場(chǎng)會(huì)使溝道載流子獲得高能量,并產(chǎn)生熱載流子效應(yīng),如氧化層電荷陷阱和界面態(tài)。在熱載流子應(yīng)力和輻射條件(如反應(yīng)離子刻蝕和X射線光刻工藝)下生產(chǎn)最小損傷的柵介質(zhì)層。