工藝過程中具有較低的熱開銷(Thermal Budgct),以減少熱擴(kuò)散過程中的雜質(zhì)再分布。 OMAPL138BZWTD4近幾年來對(duì)薄柵介質(zhì)層研究主要集中在解決上述所提到的一些問題上,可分為迮大類主流方法,即各種預(yù)氧化清潔工藝、各種氧化△藝、化學(xué)改善柵氧化層工藝和沉積氧化層或疊層氧化硅作為柵介質(zhì)。薄氧化層的生長(zhǎng)必須足夠慢,才能保證獲得均勻性和重復(fù)性較好的⒏O2層。薄氧化層生長(zhǎng)情況及氧化層性質(zhì)與清洗工藝和所用試劑的純度有著密切的關(guān)系。薄氧化層生長(zhǎng)工藝包括干氧氧化、含有H¤的干氧氧化、濕氧氧化、減壓氧化和低溫高壓氧化等。工藝條件對(duì)氧化層質(zhì)量有重大影響,例如,高溫生長(zhǎng)的氧化層比低溫生長(zhǎng)的氧化層缺陷密度高;用HCl氣氛鈍化鈉離子、改善擊穿電壓和吸除硅中的雜質(zhì)和缺陷,在較高溫度下進(jìn)行效果才好。為了生長(zhǎng)高質(zhì)量的薄氧化層,可采用兩步氧化工藝:先在中等溫度(低于或等于100O℃)下用干氧、H2氣氛形成均勻、可重復(fù)的低缺陷密度氧化層,再在1150℃溫度下于、、0和HCl氣氛中進(jìn)行熱處理,這一步達(dá)到鈍化目的和得到所希望的氧化層厚度。

    采用低壓G⑩是目前生長(zhǎng)薄氧化層的一種有效方法。一般I藝條件是,溫度在∞0~10∞℃,氧的壓力為33.33~266.m%,可生長(zhǎng)出從幾十至⒛0A厚度的薄氧化層。這種方法生長(zhǎng)的氧化層,其腐蝕速率與950℃和一個(gè)大氣壓干氧氧化生長(zhǎng)的氧化層的腐蝕速率一樣,其他性質(zhì)也均能達(dá)到滿意的效果。快速熱氧化(Ra“d Thermd O茹da0oll,RTo)工藝適合用于生長(zhǎng)深亞微米芯片所需的超薄氧化層。一般而言,對(duì)0,25um工藝,其柵氧化層厚度在6~7nm之間;對(duì)0.18um工藝,其柵氧化層厚度只有4nm;對(duì)0.13um工藝,其柵氧化層厚度只有3nm。cMOS器件尺寸越來越小,柵介質(zhì)越來越薄。利用RTO工藝生長(zhǎng)的超薄氧化層一般具有極好的電學(xué)特性,可與傳統(tǒng)高溫氧化爐生長(zhǎng)法相比擬,甚至更好。