當(dāng)摻雜的硅被熱氧化時,會形成一個把⒊和⒊o2分開的界面,即⒊/SiO2界面。在氧化過ONET1191PRGTR程中這個界面是不斷向硅中移動的,因此原先在硅中的雜質(zhì)在界面上要進(jìn)行重新分布,直到界面兩邊的化學(xué)勢相等為止。這種由于高溫?zé)嵫趸^程而引起的雜質(zhì)再分布的結(jié)果,會造成s/s02界面兩端的雜質(zhì)分布有突變,與⒊O2接觸的⒏界面的電學(xué)特性也將發(fā)生變化,在極端情況下甚至?xí)耿窸2層下面的硅表面產(chǎn)生反型層。

   雜質(zhì)再分布由雜質(zhì)的分凝效應(yīng)、雜質(zhì)在s和⒊o2中的擴(kuò)散速率、雜質(zhì)通過s02表面逸散,以及界面移動這幾個因素決定。

   任何一種雜質(zhì)在不同相巾的溶解度是不相同的,當(dāng)兩個相緊密接觸時,原來存在某一相中的雜質(zhì)將在兩相之間重新分配,直到在兩相中濃度比為某一常數(shù)為止,即在界面兩邊的化學(xué)勢相等,這種現(xiàn)象稱為分凝現(xiàn)象。定義在⒏/sK)2界面上的平衡雜質(zhì)濃度之比為分凝系數(shù),記為Κ:,″s、″sK、分別表示雜質(zhì)在硅與工氧化硅中的濃度。