集成電路對熱生長⒊C)纟層質(zhì)量的要求很高,主要是控制⒏02的針孔、SiO2層中的可動電荷、界面上及⒏O2層中的固定電荷和陷阱、Si`/SiO2界面態(tài)密度等。 S912XET256J2MAL氧化膜缺陷包括表面缺陷、結(jié)構(gòu)缺陷及氧化層中的電荷=個方面。

   表面缺陷

   二氧化硅薄膜的表面缺陷有斑點、裂紋、白霧、針孔等,可用日檢或用顯微鏡進行檢驗。針孔通常有兩種:一種是完全穿通的孔,稱為“通孔”;另一種孔并不完全穿通,而是局部區(qū)域的氧化層較薄,加以一定的電壓后會產(chǎn)生擊穿,稱為“盲孔”。高溫氧化時出現(xiàn)針孔主要是由于硅片表面拋光不夠好(機械損傷嚴重),硅片有嚴重的位錯(因位錯處往往集中著Cu、R等快擴散雜質(zhì),故不能很好地生長so層),硅片表面有沾污(如塵埃,或者沾污的碳在高溫下形成的sC顆粒),或硅片表面有合金點等。為了消除氧化針孔,首先應(yīng)保證硅片的質(zhì)量。表面應(yīng)平整、光亮,并要加強清潔處理。針孔對器件性能的危害很大,但叉不易直接被察覺,因此有必要采用一些方法來檢驗它。常用于檢驗針孔的方法主要有化學(xué)腐蝕法和電解鍍銅法。