工藝原理
發(fā)布時間:2017/5/14 18:27:27 訪問次數(shù):622
BN源需要活化后使用,日的是在源表面形成一層鳥O3,擴(kuò)散時在爐管內(nèi)充滿鳥O3氣體;罨R3112N271A-TR一般是將硼放人爐管內(nèi),通入氧氣,擴(kuò)散溫度保持半小時以上,化學(xué)反應(yīng)過程為
4BN+302:00~1000℃`2:2O3+2N2
由此B擴(kuò)散進(jìn)人Sl。B與⒊晶格失配系數(shù)為0,254,失配大,有伴生應(yīng)力缺陷,造成嚴(yán)重的晶格損傷。在1500℃,D⒔=10v cm2/s時,硼在硅中的最大固溶度達(dá)到4×10⒛cm3,但是最大電活性濃度是5×1019cm3。
磷擴(kuò)散
磷擴(kuò)散是n型摻雜使用最多的方法之一,目前多用固態(tài)陶瓷片源,采用開管式方法,以預(yù)淀積和再分布兩步法進(jìn)行。
BN源需要活化后使用,日的是在源表面形成一層鳥O3,擴(kuò)散時在爐管內(nèi)充滿鳥O3氣體;罨R3112N271A-TR一般是將硼放人爐管內(nèi),通入氧氣,擴(kuò)散溫度保持半小時以上,化學(xué)反應(yīng)過程為
4BN+302:00~1000℃`2:2O3+2N2
由此B擴(kuò)散進(jìn)人Sl。B與⒊晶格失配系數(shù)為0,254,失配大,有伴生應(yīng)力缺陷,造成嚴(yán)重的晶格損傷。在1500℃,D⒔=10v cm2/s時,硼在硅中的最大固溶度達(dá)到4×10⒛cm3,但是最大電活性濃度是5×1019cm3。
磷擴(kuò)散
磷擴(kuò)散是n型摻雜使用最多的方法之一,目前多用固態(tài)陶瓷片源,采用開管式方法,以預(yù)淀積和再分布兩步法進(jìn)行。
熱門點(diǎn)擊
- 硅的幾種常用晶面上原子
- 硅晶體的不同晶面、晶向性質(zhì)有所差異,
- 二氧化硅的理化性質(zhì)及用途
- 影響外延生長速率的因素
- “踢出”與間隙機(jī)制擴(kuò)散
- 同一種光學(xué)介質(zhì)對不同頻率的光的折射率是不同的
- 彈道導(dǎo)彈的分類
- 暖層以上的大氣層稱為散逸層
- 光譜濾波
- 光學(xué)系統(tǒng)的主要參數(shù)和評價指標(biāo)
推薦技術(shù)資料
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