基于以上特點,多晶硅薄膜在微電子工藝中有許多重要應(yīng)用。高摻雜的多晶硅薄膜在MOS集成電路中普遍作為柵電極和互連引線。 ACT4455YH-T在多層互連工藝中,可以使用多層多晶硅技術(shù),并且可以在多晶硅上熱生長或者淀積一層二氧化硅,以保證層與層之問的電學(xué)隔離。在自對準(zhǔn)I藝技術(shù)中,利用多晶硅的耐高溫特性可用其作為擴(kuò)散掩膜。低摻雜的多晶硅薄膜在SRAM中用于制作高值負(fù)載電阻;也可以用于介質(zhì)隔離技術(shù),作為深槽(或淺槽)隔離中的填充物。

   本征多晶硅薄膜隨著晶粒尺寸的減小,晶粒進(jìn)人了納米尺度時電阻率迅速增大,可以達(dá)到3×106Ω・clll,成為半絕緣薄膜。早期,將這種半絕緣薄膜稱為非晶硅薄膜,記為獷⒊:H,其中的H主要是因為這種薄膜多采用PECˇ0方法制各,薄膜中含有氫的緣故。該薄膜廣泛用于微電子工藝中,作為高壓器件的高阻層和場成形層及表面鈍化膜。實際上,這種半絕緣薄膜硅晶粒尺度是在納米量級。近年來,隨著納米科技的發(fā)展,對納米多晶硅薄膜的研究報道不斷增加,用途也在不斷拓展。