晶硅的導(dǎo)電特性與單晶硅也有所不同。在晶粒內(nèi)部的摻雜原子和在單晶硅中一樣是占據(jù)替位位置,有電活性;而晶界上的硅原子是無序狀態(tài), ACT364US-T摻雜原子多數(shù)是無電活性的,且晶粒/晶界之間的雜質(zhì)分凝導(dǎo)致晶界上雜質(zhì)濃度高于晶粒內(nèi)部,因此,在相同摻雜濃度下,多晶硅中有電活性的雜質(zhì)濃度低于單晶硅,導(dǎo)電能力也就低于單晶硅。另外,晶界上大量的缺陷和懸掛鍵是載流子陷阱,晶粒中的載流子若陷入晶界之中,對電導(dǎo)就不再起作用。同時品界上的電荷積累還會造成晶粒邊界周圍形成載流子耗盡的區(qū)域,使其能帶發(fā)生畸變,產(chǎn)生勢壘,降低了多晶硅中載流子的有效遷移率,這也引起導(dǎo)電能力下降。圖⒎30所示是摻磷多晶硅和單晶硅的電阻率曲線。此圖表明多晶硅的電阻率的確大 于單晶硅,特別在相同的中等摻雜濃度時,多晶硅的電阻率0L單晶硅高得多。隨著摻雜濃度的增加兩者的數(shù)值逐漸接近,即重摻雜多晶硅的電阻率和單晶硅相差不大。而本征多晶硅的電阻率很高,通常稱為半絕緣多晶硅。多晶硅的電阻率和晶粒尺寸有關(guān)。晶粒越小晶界所占多晶硅的比重就越大,導(dǎo)電能 力下降就越多,電阻率也就越高。

   多晶硅薄膜耐高溫,與高溫熱處理工藝有很好的兼容性,而且可以通過熱氧化工藝在其表面生長氧化層。多晶硅與熱生長氧化層的接觸性能良好,界面態(tài)密度很低,并月~與硅襯底兼容性好,在陡峭的臺階上淀積的多晶硅薄膜有很好的保形覆蓋特性,且薄膜應(yīng)力較小,一般是壓應(yīng)力,在(1~5)×104N/cm2之間。