常用的多層金屬薄膜多采用P、①I藝制備。有些場合的氧化物薄膜,或者難熔硅化物薄膜,以及PMBD7000其他以C、0方法難以制備的薄膜也都采用P`0工藝制備。

   多層金屬

   單層金屬無法滿足器件與集成電路的內(nèi)電極和互連布線要求時,常采用多層金屬�？梢愿鶕�(jù)需要來確定金屬薄膜的層數(shù)。各層的主要作用如下。歐姆接觸層是指能與襯底形成良好歐姆接觸的金屬層。歐姆接觸層一般只有幾百埃厚,常用金屬有鈦(△)、鉑(Pt)、鋁(Al)、鎘(Cd)、鋯(Zr)等。

   黏附層是當歐姆接觸層與硅和二氧化硅之間的附著性不好時,還需要在歐姆接觸層與硅和二氧化硅之間先淀積一層黏附層。黏附層也只需幾百埃厚。常用金屬有鈦(△)、鉻(⒍)、鋁(Al)、鋯(Zr)等。

   過渡層就是阻擋層,是用來阻擋上層金屬擴散進人硅和二氧化硅,形成硅化物;或者阻擋上下兩層金屬互擴散產(chǎn)生高阻物的阻擋層。過渡層金屬應與硅之間的合金化溫度高,和上下兩層都不產(chǎn)生高阻物,且致密度高無針孔,厚度在100~~’O0nm之間。常用金屬有鈀(Pd)、鎢(W)、鉬(Mo)、鎳(№)及鎳鉻合金(NlCr)。

   導電層的電阻率應低,抗電遷移性能要好,理化性質穩(wěn)定,容易壓焊引線,導電層厚度約1um。常用金屬有金(Au)、鋁(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)等。