例如,nMOs電路的互連系統(tǒng)是采用Pts←T←Pt-Au多層金屬系統(tǒng)。該系統(tǒng)工藝為: PMBD914

   ①濺射Pt,然后700℃熱處理形成P♂歐姆接觸層;

   ②濺射Ti,作為黏附層,把s與上面的Pt黏結(jié)起來(lái);

   ③濺射Pt,作為過(guò)渡層,防止Tl與Au形成高阻物;

    ④真空蒸鍍Au,作為導(dǎo)電層實(shí)現(xiàn)各元件的互連,且利于鍵合外電極。

   多層金屬系統(tǒng)工藝復(fù)雜,實(shí)際使用時(shí)應(yīng)盡量減少層數(shù)。多數(shù)場(chǎng)合用二層或三層就能起到與上面四層相同的作用,如T卜Au系統(tǒng)、CNAg系統(tǒng)、Al Pt-Au系統(tǒng)等。

    化合物薄膜

     Pvd也用于制備化合物薄膜,如介質(zhì)薄膜、難熔金屬硅化物薄膜。早期的芯片制作中,最外層的二氧化硅薄膜作為鈍化膜和保護(hù)膜,采用電子束蒸鍍方法來(lái)制各。這主要是由于PVD工藝襯底溫度較低,甚至可以在室溫下進(jìn)行淀積。以真空蒸鍍工藝制備這類鈍化膜、保護(hù)膜,最關(guān)注的問(wèn)題是所淀積化合物成分與源成分可能有較大差異。還有必須要考慮在蒸發(fā)溫度下化合物不能發(fā)生分解。當(dāng)前,磁控濺射也廣泛用于制備這類能起到鈍化作用和保護(hù)作用的化合物薄膜,如采用磁控濺射△藝制各氧化物或氮化物薄膜,而高純度靶材的獲取是濺射工藝中最受關(guān)注的問(wèn)題。

   在制備內(nèi)電極或互連系統(tǒng)時(shí)起隔離作用和(或)勢(shì)壘作用的難熔金屬硅化物薄膜通常也是采用濺射工藝來(lái)制各的。

   濺射工藝具有的開(kāi)放式多技術(shù)融合,以及方法簡(jiǎn)單適應(yīng)性強(qiáng)的特點(diǎn),使得其被用于制各其他方法難以淀積的所有薄膜。