光刻時(shí)接收?qǐng)D像的介質(zhì)稱為光刻膠。以光刻膠構(gòu)成的圖形作為掩膜對(duì)薄膜進(jìn)行腐蝕,圖形就轉(zhuǎn)移到晶片表面的薄膜上了,所以也稱光刻膠為光致抗蝕劑。 S-8052ALO-LG-T1光刻膠在特定波長的光線(或射線)下曝光,其結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。如果膠的曝光區(qū)在顯影中除去,稱該膠為正性膠(也叫正膠);如果膠的曝光區(qū)在顯影中保留,而未曝光區(qū)除去,稱該膠為負(fù)性膠(也叫負(fù)膠)。光刻膠也可以按其用途劃分為可見光膠、電子束光刻膠、X射線光刻膠等。

   光刻膠是一種有機(jī)化合物,它受紫外光曝光后,在顯影溶液中的溶解度會(huì)發(fā)生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面,而后被干燥成膠膜。硅片制造中使用光刻膠的目的如下。

   ①將掩模板圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中。

   ②在后續(xù)工藝申,保護(hù)下面的材料(如刻蝕或離子注人阻擋層)。

    隨著器件電路密度持續(xù)縮小其關(guān)鍵尺寸,為了將亞微米線寬圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面,相關(guān)技術(shù)得到了改善。這些改善包括以下幾點(diǎn)。

   ①更好的圖形清晰度(分辨率)。

   ②對(duì)半導(dǎo)體硅片表面更好的黏附性。

   ③更好的均勻性。

   ④增加了工藝寬容度(對(duì)工藝可變量敏感度降低)。