鋁是半導(dǎo)體工藝中最主要的導(dǎo)體材料。它具有低電阻、易于淀積和刻蝕等優(yōu)點。 OPA2604IDRQ1氟化物氣體所產(chǎn)生的等離子體并不適用于鋁的刻蝕,因為反應(yīng)產(chǎn)物的蒸氣壓很低不易揮發(fā),很難脫離被刻物表面而被真空設(shè)各所抽離。鋁的氯化物則具有足夠高的蒸氣壓,因此能夠容易地脫離被刻物表面而被真空設(shè)備所抽離。所以氯化物氣體所產(chǎn)生的等離子體常作為鋁的干法刻蝕源。鋁的表面在空氣中很容易被氧化,所以在通常情況下,鋁表面總是覆蓋有很薄的(約30A)自然氧化層。在刻蝕鋁之前,可用濺射或化學(xué)還原法去掉這層氧化層。BC13及CC1氣體在等離子體中電離時,可以還原這一薄氧化層。這一過程在刻蝕開始階段可以觀察到。水汽會嚴(yán)重影響鋁的刻蝕速率,并引起不可重復(fù)的結(jié)果。在起始階段,水汽的存在會推遲鋁開始刻蝕的時間�？涛g產(chǎn)物AlC1的揮發(fā)性沒有達到最佳,可能沉積到反應(yīng)器壁上。當(dāng)反應(yīng)器暴露在空氣中時,凝聚在反應(yīng)器內(nèi)壁上的AlC圮就會吸附大量水汽,再次進行刻蝕時,這些水汽又會影響刻蝕。所以,必須將反應(yīng)室中的水汽排除。適當(dāng)提高刻蝕溫度,使得AC圮獲得更好揮發(fā)性,才能獲得可重復(fù)的川刻蝕工藝。

   刻蝕鋁的主要設(shè)備是平板反應(yīng)器,可用以實現(xiàn)RIE刻蝕或等離子體刻蝕,并能獲得各向異性刻蝕剖面,用混合氣體(如CC1C1或BC1C1)的刻蝕效果更佳。在很寬的工藝參數(shù)范圍內(nèi),BC1刻蝕劑不產(chǎn)生聚合物。而在CC1等離子體中,往往產(chǎn)生聚合物膜,影響刻蝕。因此,BC比CCh對鋁的刻蝕性能更好些。