隨著工藝節(jié)點的不斷提升,掩模板的制造成本也呈直線攀升。一套130nm的掩模板的平均價格為40萬美元,90nm為60萬美元,65nm為70萬美元,45nm為120萬美元,32/28nm為250萬美元,22`/20nm為650萬美元。S-80440AL在掩模板制作費用飛速增長的壓力下,業(yè)內專家正在討論下一個10年內將無掩膜光刻由實驗室轉向量產的可行性。

   早在10年前就已開始研究的電子束直寫技術,經過10年的努力收效甚微,主要原因是書寫速度太慢,遠遠不能滿足量產的需要。而光學無掩模板(CyMI'2)和帶電粒子無掩模板(CRMI冫2)技術都需要面對一系列有關商業(yè)市場和技術的關鍵問題,其中包括產能、與光刻工藝的兼容性、數(shù)據(jù)的儲存、數(shù)據(jù)的容量和傳輸、適用平臺,以及如何修正影響線寬和套準的誤差等。

   一部分業(yè)內人士對無掩膜光刻持懷疑態(tài)度,半導體丁業(yè)發(fā)展到今天已經基于一個成熟的平臺,無掩模板光刻的引入將顛覆整個平臺,其成本代價是巨大的,不是僅僅更換一個設備的問題。但也有人認為無掩模板光刻是降低掩模板成本的潛在解決方案,是一種有前途的光刻技術,只是近期只能作為一種應用在特殊領域的技術而并不能取代現(xiàn)在已經被廣泛視為主流的浸人式光刻或超紫外光刻技術。盡管無掩模板光刻有待解決的技術問題還很多,但其較低的成本將使其在未來繼續(xù)受到關注。