移相掩膜的基本原理是在光掩膜的某些透明圖形上增加或減少一個(gè)透明的介質(zhì)層,稱移相SCDS127T-150M-N器,使光波通過這個(gè)介質(zhì)層后產(chǎn)生180°的相位差,與鄰近透明區(qū)域透過的光波產(chǎn)生干涉,抵消圖形邊緣的光衍射效應(yīng),從而提高圖形曝光分辨率。移相掩膜技術(shù)被認(rèn)為是最有希望拓展光學(xué)光刻分辨率的技術(shù)之一。已經(jīng)證明,移相掩膜比傳統(tǒng)的由完全透光區(qū)和完全不透光區(qū)組成的二元掩膜能明顯提高分辨率和改善焦深。目前已廣泛應(yīng)用到⒛8nm和193nm光刻曝光的E器件生產(chǎn)中。

   移相層材料有兩類,-類是有機(jī)膜,以抗蝕劑為主,如PMMA膠;另一類是無機(jī)膜,如二氧化硅。當(dāng)所需的曝光臨界尺寸接近或小于曝光光線波長時(shí),由于光衍射產(chǎn)生的鄰近效應(yīng)的作用,應(yīng)用普通的掩模板進(jìn)行曝光將無法得到所需的圖形,硅片上圖形的特征尺寸將大于所需尺寸。移相掩膜技術(shù)通過對掩模板結(jié)構(gòu)進(jìn)行改造,從而達(dá)到縮小特征尺寸的目的。