如圖10-14所示是移相掩膜的光強分布,圖中分別給出了常規(guī)掩膜和加入移相器后的光強分布。 SCDS5D28T-470M-N對于常規(guī)掩膜工藝,當掩模板中不透光區(qū)域的尺寸小于或接近曝光光線波長時,由于光的衍射作用,不透光區(qū)域所遮擋的抗蝕劑也會受到照射。當透光的兩個區(qū)域距離很近時,從這兩個區(qū)域衍射而來的光線在不透光處發(fā)生干涉。由于兩處光線的相位相同,干涉后使得光強增加。當光強達到或超過抗蝕劑的臨界曝光劑量時,不透光處的抗蝕劑也會發(fā)生曝光。這樣相鄰的兩個圖形之間將無法分辨。加人180°移相器后,在不透光區(qū)域發(fā)生干涉的兩部分光線之間有180°的相移,在干涉時該部分的光強將不會加強,反而由于相位相反而減弱。這樣不透光區(qū)域的抗蝕劑就不會發(fā)生曝光現象,兩個相鄰的圖形之間就可以區(qū)分,從而達到了提高分辨率的目的。

   事實上,在實際的曝光過程中采用的移相掩膜并不像圖10-14所描述的那樣簡單。例如,移相層在曝光過程中會造成光強的損耗,這樣會使得移相與不移相的部分的光強不平衡,造成整個硅片上的劑量分配不平衡。因此對于移相層材料的選擇很重要。同時,實現移相掩膜的方法也很多。移相掩膜技術最初由Leven∞n在1982年提出,⒛世紀90年代初以來得到了迅速發(fā)展,其種類繁多,功能各異。移相掩膜的主要類型有:交替式PSM、衰減型PSM、邊緣增強型PSM、無鉻PSM和混合PSM。