臺階覆蓋特性如何對蒸鍍薄膜而言很重要。集成電路制造技術(shù)通常希望所淀積薄膜的保形覆蓋能力強,L6562DTR而真空蒸鍍制備的薄膜存在臺階覆特性較差問題。圖⒏17所示是在表面有深寬比為1的微 結(jié)構(gòu)襯底上蒸鍍薄膜的臺階覆蓋特性。

   通過襯底加熱和襯底旋轉(zhuǎn)能夠改善真空蒸鍍的臺階覆蓋特性。這是因為當(dāng)襯底溫度低時,被吸附原子在襯底表面的擴散遷移率很低,而蒸發(fā)原子是直線到達(dá)襯底的,如果襯底不轉(zhuǎn)動,在不平坦襯

底上,高形貌差將投射出一定的陰影區(qū),所淀積的薄膜也就不能全覆蓋,如圖⒏17(a)所示。如果襯底被加熱,蒸發(fā)原子在襯底表面的擴散速率就會有所提高,若此時還旋轉(zhuǎn)襯底,陰影區(qū)減少甚至消失,淀積薄膜就能實現(xiàn)全覆蓋,如圖817(b)所示。

   圖⒏17 在表面有深寬比為1的微結(jié)構(gòu)襯底。L蒸鍍薄膜的臺階覆蓋特性然而,當(dāng)襯底加熱時,襯底所淀積薄膜物質(zhì)的平衡蒸氣壓也隨著溫度升高而增加,使得到達(dá)襯底的原子再蒸發(fā)返回氣相的比例增大,襯底溫度過高時甚至不能成膜。而且,襯底溫度過高所淀積的多晶薄膜的晶粒尺寸也會增大,這樣薄膜表面平整度變差,進(jìn)而影響到后續(xù)的光刻工藝。再一個需要注意的問題是如果淀積合金薄膜,由于各組分原子在襯底表面的擴散系數(shù)可能有很大差別,使得在深寬比大的微結(jié)構(gòu)底部的薄膜成分不同于結(jié)構(gòu)頂部的成分。因此,襯底加熱溫度應(yīng)依據(jù)所淀積薄膜的材料特性來綜合考慮,通常在幾百攝氏度范圍內(nèi)。