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接近式曝光

發(fā)布時(shí)間:2017/5/26 21:15:25 訪問次數(shù):1996

   接近式曝光裝置示意圖如圖1019所示。它由4部分組成:光源和透鏡系統(tǒng)、掩模板、硅片(樣品)及對準(zhǔn)臺。SDCL1005C1N0STDF汞燈發(fā)射的紫外光由透鏡變成平行光,平行光通過掩模板后在光刻膠膜上形成圖形的像。SDCL1005C1N0STDF掩模板與硅片之間有一小的間隙s,通常s=5um,所以稱這種方法為接近式曝光。在分辨率的討論中得知光學(xué)方法的理論分辨率。但在接近式的系統(tǒng)中由于掩模板和硅片間有一小間隙s,必須考慮這種具體情況下衍射對分辨率的限制。

   如圖10-~90所示為接近式曝光衍射示意圖。設(shè)有一光屏BB′,上面有寬度為Ω的狹縫,這相當(dāng)于掩模板。狹縫的長度不限,其方向垂直于圖面。當(dāng)光線通過BPD′時(shí),則在與其相距s的E卩面(即硅片及其膠膜)上成像。因衍射效應(yīng),光強(qiáng)分布如GG′所示。為了描述衍射現(xiàn)象,我們插人一個(gè)透鏡L。如果沒有衍射則光線通過I'會聚于一點(diǎn);如有衍射,則呈GG′分布。這里我們計(jì)算一級衍射極小的像寬度。

     



   接近式曝光裝置示意圖如圖1019所示。它由4部分組成:光源和透鏡系統(tǒng)、掩模板、硅片(樣品)及對準(zhǔn)臺。SDCL1005C1N0STDF汞燈發(fā)射的紫外光由透鏡變成平行光,平行光通過掩模板后在光刻膠膜上形成圖形的像。SDCL1005C1N0STDF掩模板與硅片之間有一小的間隙s,通常s=5um,所以稱這種方法為接近式曝光。在分辨率的討論中得知光學(xué)方法的理論分辨率。但在接近式的系統(tǒng)中由于掩模板和硅片間有一小間隙s,必須考慮這種具體情況下衍射對分辨率的限制。

   如圖10-~90所示為接近式曝光衍射示意圖。設(shè)有一光屏BB′,上面有寬度為Ω的狹縫,這相當(dāng)于掩模板。狹縫的長度不限,其方向垂直于圖面。當(dāng)光線通過BPD′時(shí),則在與其相距s的E卩面(即硅片及其膠膜)上成像。因衍射效應(yīng),光強(qiáng)分布如GG′所示。為了描述衍射現(xiàn)象,我們插人一個(gè)透鏡L。如果沒有衍射則光線通過I'會聚于一點(diǎn);如有衍射,則呈GG′分布。這里我們計(jì)算一級衍射極小的像寬度。

     



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5-26接近式曝光
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