從光刻系統(tǒng)分辨率式(9△)可知,減小曝光光源的波長并增加投影透鏡的NA都可以提高分辨率。 H27S2G8F2CFR-BI自從193nm波長成為主攻方向以后,增大NA成為了業(yè)界人士孜孜不倦的追求。表10乇所示是提高193nm ArF浸入式光刻機NA的方案。由此可見,浸入液、光刻設各和其他相關環(huán)節(jié)的緊密配合是浸人式光刻技術前進的保證。

   表10-2 提高1931m ArF浸入式光刻機NA的方案

   浸人式光刻技術對于全球半導體△業(yè)所帶來的效益是無法估量的,可以節(jié)省大量的資金,由此對摩爾定律再能持續(xù)10~15年完全充滿信心。

   19311nl浸人式光刻(NA=1,35)單步曝光I藝,Kl可以縮減到0,3,能夠實現(xiàn)32m的分辨率。而采用兩次圖形化工藝和分辨率增強技術,Κ1可以進一步縮小到0.15,從而使分辨率接近22nm,但是CD的控制和對準精度都因方法不同而不同。與單次曝光I藝相比,兩次曝光技術會造成成本和缺陷密度的提高,對準精度容差(從∞的33%降低到CD的10%)的降低。      ’

   1931lnl浸人式光刻技術應解決的技術問題是:①研發(fā)高折射率的光刻膠,⒛Or/J年光刻膠折射率為1.7;②研發(fā)高折射率的浸人液體,水折射率為1.1,研發(fā)折射率為1.6~1.7的浸人液體,折射指數(shù)大于1.65的流體滿足黏度、吸收和流體循環(huán)要求;③研發(fā)高折射率的光學材料,折射指數(shù)大于1.65的透鏡材料滿足透鏡設計的吸收和雙折射要求;④控制由于浸入環(huán)境引起的缺陷,包括氣泡和污染。