以典型的雙阱CMOS反相器為例介紹CMOS工藝流程。在生產(chǎn)中可用n型單晶硅,PAM3101DAB180也可以用p型單晶硅作為襯底。選擇不同導(dǎo)電類型的襯底材料,其制造工藝是不完全相同的,但原理是相同的。p型硅單晶作為襯底有兩種情況:一種是直接在p型硅單晶上制造CMOS反相器,另一種用曠硅單晶為襯底,再在上面外延生長盯型硅外延層。以p/p+為襯底,主要工藝流程如圖12-17~圖12-19所示,其中,圖12-17 所示為確定CMOS的雙阱及柵結(jié)構(gòu);圖12-18所示為形成nMOs和pM(B的源漏結(jié)構(gòu);圖12△9所示為形成金屬化系統(tǒng)。

   (1)N阱注人

   熱氧化生長⒊O2緩沖層,LPCVD凱N4作為選擇性熱氧化目掩膜;光刻,RIE去弘N1形成n阱窗口;順次自對準(zhǔn)注人P離子,即n阱注人。

    (2)p阱注人

   去光刻膠,選擇性熱氧化生長⒏02作為p阱注人掩膜;同時“激活”和“驅(qū)進(jìn)”P+As雜質(zhì),形成深度約6um的n阱;RIE刻蝕去s3N4,自對準(zhǔn)注入B}離子,即p阱注人。

   (3)場注人

    HF腐蝕去氧化層掩膜;再熱氧化生長薄漲,緩沖層,IPC、0弘N{作為選擇性氧化用掩膜;光刻,RIE去凱N1形成場區(qū)窗口,去膠;自對準(zhǔn)場注人B÷離子。

   (4)pMOS閾值調(diào)整注人

   熱氧化形成厚的場氧化層;RIE刻蝕去弘N4;以光刻膠為掩膜進(jìn)行pMOS閾值調(diào)整P+注入。

   (5)nMOs閾值調(diào)整注人

   去膠;光刻;以光刻膠為掩膜進(jìn)行nMC)s閾值調(diào)整P+注入。

   (6)柵定義

   去膠,HF漂去⒏o;再干氧熱氧化生長柵氧化層;LPCX/ˉD多晶硅薄膜,光刻和刻蝕形成多晶硅柵圖形,去膠。