濕法刻蝕參數(shù)如表111所示,在濕法刻蝕過程中必須控制基本的濕法刻蝕參數(shù)包括:刻蝕溶液的濃度、刻蝕的時(shí)間、反應(yīng)溫度及溶液的攪拌方式等。 OB2353CPA由于濕法刻蝕是通過化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)的,所以刻蝕溶液的濃度越高,或者反應(yīng)溫度越高,薄膜的刻蝕速率也就越快。此外,濕法刻蝕的反應(yīng)通常會(huì)伴有放熱和放氣。反應(yīng)放熱會(huì)造成局部反應(yīng)區(qū)域的溫度升高,使反應(yīng)速率加快;反應(yīng)速率加快叉會(huì)加劇反應(yīng)放熱,使刻蝕反應(yīng)處于不受控制的惡性循環(huán)中,其結(jié)果將導(dǎo)致刻蝕的圖形不能滿足要求。反應(yīng)放氣所產(chǎn)生的氣泡會(huì)隔絕局部的薄膜與刻蝕液的接觸,造成局部的刻蝕反應(yīng)停止。形成局部的缺陷。

   因此,在濕法刻蝕中需要進(jìn)行攪拌。此外,適當(dāng)?shù)臄嚢?如使用超聲波振蕩)還可以在一定程度上減輕對(duì)光刻膠下方薄膜的刻蝕。選擇一個(gè)濕法刻蝕的工藝,除了刻蝕溶液的選擇外,也應(yīng)注意掩膜是否適用。一個(gè)適用的掩膜包含下列條件:①與被刻蝕薄膜有良好的附著性;②在刻蝕溶液中穩(wěn)定而不變質(zhì);③能承受刻蝕溶液的侵蝕。光刻膠便是一種很好的掩膜材料,它不需額外的步驟便可實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)印,但光刻膠有時(shí)也會(huì)發(fā)生邊緣剝離或龜裂。邊緣剝離的出現(xiàn)是由于光刻膠受到刻蝕溶液的破壞造成邊緣與薄膜的附著性變差,解決方法為在上光刻膠前先上一層附著促進(jìn)劑,如六甲基二硅胺烷(HDMS)。出現(xiàn)龜裂則是因?yàn)楣饪棠z與薄膜之間的應(yīng)力太大,減緩龜裂的方法就是利用較具彈性的光刻膠材質(zhì),來吸收兩者之間的應(yīng)力。

   目前通常使用濕法刻蝕處理的材料包括s、Sll,2、S厶N(yùn)∶、Al和Cr等。下面對(duì)此分別進(jìn)行討論。