硅的濕法刻蝕
發(fā)布時(shí)間:2017/5/28 14:39:23 訪問次數(shù):1477
在濕法刻蝕硅的各種方法中,大多數(shù)OB2535CPA都是采用強(qiáng)氧化劑對(duì)硅進(jìn)行氧化然后利用氫氟酸(HF)與⒊o反應(yīng)來去掉硅,從而達(dá)到對(duì)硅的刻蝕目的c最常用的刻蝕溶劑是硝酸(HN03)與氫氟酸(HD和水(或醋酸)的混合液。
反應(yīng)生成的H2SiF6可溶于水。在腐蝕液中,加人醋酸(CH3CoOH)可以抑制硝酸的分解,從而使硝酸的濃度維持在較高的水平。對(duì)于HRHNC,混合的腐蝕液,當(dāng)HF的濃度高而HNo3的濃度低時(shí),硅的刻蝕速率由HNO3濃度決定,硅的刻蝕速率基本上與HF濃度無關(guān),因?yàn)檫@時(shí)有足量的HF去溶解反應(yīng)中所生成的⒏o2。當(dāng)HF的濃度低而HNO3濃度高時(shí),s的刻蝕速率取決于HF的濃度,即取決于HF溶解反應(yīng)生成的⒊02的能力。
此外,也可以用含K()H的溶液來進(jìn)行⒏的刻蝕,化學(xué)反應(yīng)方程式如式(1⒈2)所示。這種溶液對(duì)⒏(100)面的刻蝕速率比(111)面快了許多,如圖111所示,所以刻蝕后的輪廓將成為V形的溝渠狀。不過這種濕法刻蝕大多用在微機(jī)械器件的制造上,在傳統(tǒng)的℃I藝上并不多見。其化學(xué)反應(yīng)方程式如下所示。
在濕法刻蝕硅的各種方法中,大多數(shù)OB2535CPA都是采用強(qiáng)氧化劑對(duì)硅進(jìn)行氧化然后利用氫氟酸(HF)與⒊o反應(yīng)來去掉硅,從而達(dá)到對(duì)硅的刻蝕目的c最常用的刻蝕溶劑是硝酸(HN03)與氫氟酸(HD和水(或醋酸)的混合液。
反應(yīng)生成的H2SiF6可溶于水。在腐蝕液中,加人醋酸(CH3CoOH)可以抑制硝酸的分解,從而使硝酸的濃度維持在較高的水平。對(duì)于HRHNC,混合的腐蝕液,當(dāng)HF的濃度高而HNo3的濃度低時(shí),硅的刻蝕速率由HNO3濃度決定,硅的刻蝕速率基本上與HF濃度無關(guān),因?yàn)檫@時(shí)有足量的HF去溶解反應(yīng)中所生成的⒏o2。當(dāng)HF的濃度低而HNO3濃度高時(shí),s的刻蝕速率取決于HF的濃度,即取決于HF溶解反應(yīng)生成的⒊02的能力。
此外,也可以用含K()H的溶液來進(jìn)行⒏的刻蝕,化學(xué)反應(yīng)方程式如式(1⒈2)所示。這種溶液對(duì)⒏(100)面的刻蝕速率比(111)面快了許多,如圖111所示,所以刻蝕后的輪廓將成為V形的溝渠狀。不過這種濕法刻蝕大多用在微機(jī)械器件的制造上,在傳統(tǒng)的℃I藝上并不多見。其化學(xué)反應(yīng)方程式如下所示。
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