二氧化硅在集成電路工藝中的應(yīng)用非常廣泛,它可以作為隔離MOSFET的場(chǎng)氧化層,可以作為MOSFET的柵氧化層,可以作為金屬問的電介質(zhì)材料,OPA2334AIDGST還可以作為器件的最后保護(hù)層。因此,在集成電路I藝中對(duì)SK)2的刻蝕是最為頻繁的。在ULSI△藝中對(duì)二氧化硅的刻蝕通常是在含有氟碳化合物的等離子體中進(jìn)行的�，F(xiàn)在使用比較廣泛的反應(yīng)氣體有CHF3、GF6和oF:,其目的都是用來提供碳原子及氟原子與⒊02進(jìn)行反應(yīng)。早期刻蝕使用的氣體為四氟化碳(CFl)。它有高的刻蝕速率,但對(duì)多晶硅的選擇比不好�，F(xiàn)以CF4為例來說明等離子體產(chǎn)生與刻蝕s02的過程,刻蝕過程反應(yīng)方程式為F原子與Sl的反應(yīng)速率相當(dāng)快,為與SK)2反應(yīng)速率的10~1000倍。在傳統(tǒng)的RIE系統(tǒng)中,CF1大多被分解成CF2,這樣可獲得不錯(cuò)的⒏02/⒏刻蝕選擇比。然而,在一些先進(jìn)的設(shè)備中,如螺旋波等離子體刻蝕機(jī)中,因?yàn)榈入x子體的解離程度太高,CF1大多被解離成為F,囚此⒊G/⒏的刻蝕選擇比反而不好。

    在ULSI工藝中對(duì)⒊02的干法刻蝕主要是用于刻蝕接觸孔和通孔,這些是很關(guān)鍵的應(yīng)用,要求在氧化物中刻蝕出具有高深寬比的窗口。對(duì)于DRAM應(yīng)用中的0,18um的圖形,深寬比希望能達(dá)到6△,對(duì)下層的硅和硅化物/多晶硅的選擇比要求大約為50△。有一些新的氧化物刻蝕應(yīng)用,如有新溝槽刻蝕和高深寬比刻蝕要求的雙大馬士革工藝結(jié)構(gòu),也有低的深寬比通孔刻蝕,如非關(guān)鍵性的氧化物刻蝕應(yīng)用。因此,必須認(rèn)真考慮刻蝕的選擇比問題。

   為了解決這一問題,在CF1等離子體中通常加人一些附加的氣體成分,這些附加的氣體成分可以影響s及so2的刻蝕速率、刻蝕的選擇比、均勻性和刻蝕后圖形邊緣的剖面效果。