在現(xiàn)在的半導(dǎo)體刻蝕制備中,大多數(shù)的干法刻蝕都采用CHF3與氯氣所混合的等離子體來(lái)進(jìn)行SiO2的刻蝕。CHF3有較佳的選擇比。有時(shí)甚OPA2348AIDR至再加人少量的氧氣來(lái)提高其刻蝕速率(囚為可以提高氟原子的濃度)。此外,sF6和N昆也可以用來(lái)作為提供氟原子的氣體,因?yàn)椴缓荚?所以不會(huì)在s的表面形成高分子聚合物。

   SiO2的刻蝕并不是一定要得到非常接近90°的輪廓才行。假如sOz刻蝕之后將進(jìn)行金屬的沉積,接近直角的⒏O2輪廓將造成金屬沉積的困擾,尤其是濺鍍法。因?yàn)槠渑_(tái)階覆蓋的能力不良,因填縫不完全而留下空洞。所以,SiO2刻蝕的控制,除了必須注意s02與其他材質(zhì)間(如s)的選擇性之外,其各向異性的控制也必須能夠與其他工藝相配合,以調(diào)整合適的RIE后的輪廓。當(dāng)然,也不能犧牲刻蝕速率及均勻性。