硅可用含氯等離子體刻蝕
發(fā)布時(shí)間:2017/5/28 15:04:16 訪問次數(shù):1180
在鋁中加人少量的銅或硅,是半導(dǎo)體工藝中常見的鋁合金材料,因此硅、銅的去OPA2674I-14DR除也成為鋁刻蝕時(shí)所須考慮的因素。如果兩者未能去除,所遺留下來的硅或銅顆粒將會(huì)阻礙下方鋁材料刻蝕的進(jìn)行,而形成柱狀的殘留物,即所謂微掩膜現(xiàn)象(Micromasking)。對(duì)于硅的刻蝕,可直接于氯化物氣體等離子體中完成,而sCh的揮發(fā)性很好,因此鋁合金中硅的去除應(yīng)沒有什么問題。然而銅的去除就比較困難了,因?yàn)镃uc12的蒸氣壓很低揮發(fā)性不佳,所以銅的去除無法以化學(xué)反應(yīng)方式達(dá)成,必須以高能量的離子撞擊來將銅原子去除。另外,提高溫度也可以幫助Cuc炻?lián)]發(fā)。
由于硅可用含氯等離子體刻蝕,Al Si合金(Si含量達(dá)到百分之幾)也可在含氯的氣體中刻蝕,形成揮發(fā)性的氯化物。然而,對(duì)A⒈Cu合金(一般Cu含量(4%)的刻蝕,由于銅不容易形成揮發(fā)性鹵化
物,故刻蝕之后有含銅的殘余物留在硅片上,這就給刻蝕帶來困難。當(dāng)然,如果用高能離子轟擊,可以去除這類物質(zhì),或者用濕法化學(xué)處理清除。A卜S⒈Cu合金膜的反應(yīng)離子刻蝕可提供各向異性刻蝕剖面,在低壓CC11£炻等離子體中,反應(yīng)生成揮發(fā)性的鋁和硅的氯化物,不揮發(fā)的銅的氯化物用濺射法去除,濺射也能部分地去除金屬表面的自然氧化層。
鋁合金在被鹵化物等離子體刻蝕后,殘留物(主要是AlC13和AlBr3)仍遺留在合金表面、側(cè)壁及光刻膠上。一旦襯底離開真空腔體后,這些成分將會(huì)和空氣中的水汽反應(yīng)形成HCl和HBl,Hα又腐蝕鋁合金,生成AlC13。如果提供的水汽足夠,反應(yīng)將持續(xù)進(jìn)行鋁合金將不斷地被腐蝕。在含銅的鋁合金中這種現(xiàn)象將更為嚴(yán)重,這是由于金屬表面的含銅沉積物形成氯化銅所引起的。應(yīng)當(dāng)在刻蝕之后立即清除或中和硅片表面的殘留物。比較好的方法是在刻蝕之后,移出腔體之前,以碳氟化合物(如C凡、CH凡等)等離子體做表面處理,將殘留氯化物轉(zhuǎn)變?yōu)闊o反應(yīng)的氟化物,在鋁合金表面形成一層聚合物,阻止鋁合金與氯的進(jìn)一步反應(yīng)。必須把硅片暴露于濕氣中的時(shí)間降到最少,這是在金屬刻蝕機(jī)中集成一個(gè)去膠腔體的原因。
在鋁中加人少量的銅或硅,是半導(dǎo)體工藝中常見的鋁合金材料,因此硅、銅的去OPA2674I-14DR除也成為鋁刻蝕時(shí)所須考慮的因素。如果兩者未能去除,所遺留下來的硅或銅顆粒將會(huì)阻礙下方鋁材料刻蝕的進(jìn)行,而形成柱狀的殘留物,即所謂微掩膜現(xiàn)象(Micromasking)。對(duì)于硅的刻蝕,可直接于氯化物氣體等離子體中完成,而sCh的揮發(fā)性很好,因此鋁合金中硅的去除應(yīng)沒有什么問題。然而銅的去除就比較困難了,因?yàn)镃uc12的蒸氣壓很低揮發(fā)性不佳,所以銅的去除無法以化學(xué)反應(yīng)方式達(dá)成,必須以高能量的離子撞擊來將銅原子去除。另外,提高溫度也可以幫助Cuc炻?lián)]發(fā)。
由于硅可用含氯等離子體刻蝕,Al Si合金(Si含量達(dá)到百分之幾)也可在含氯的氣體中刻蝕,形成揮發(fā)性的氯化物。然而,對(duì)A⒈Cu合金(一般Cu含量(4%)的刻蝕,由于銅不容易形成揮發(fā)性鹵化
物,故刻蝕之后有含銅的殘余物留在硅片上,這就給刻蝕帶來困難。當(dāng)然,如果用高能離子轟擊,可以去除這類物質(zhì),或者用濕法化學(xué)處理清除。A卜S⒈Cu合金膜的反應(yīng)離子刻蝕可提供各向異性刻蝕剖面,在低壓CC11£炻等離子體中,反應(yīng)生成揮發(fā)性的鋁和硅的氯化物,不揮發(fā)的銅的氯化物用濺射法去除,濺射也能部分地去除金屬表面的自然氧化層。
鋁合金在被鹵化物等離子體刻蝕后,殘留物(主要是AlC13和AlBr3)仍遺留在合金表面、側(cè)壁及光刻膠上。一旦襯底離開真空腔體后,這些成分將會(huì)和空氣中的水汽反應(yīng)形成HCl和HBl,Hα又腐蝕鋁合金,生成AlC13。如果提供的水汽足夠,反應(yīng)將持續(xù)進(jìn)行鋁合金將不斷地被腐蝕。在含銅的鋁合金中這種現(xiàn)象將更為嚴(yán)重,這是由于金屬表面的含銅沉積物形成氯化銅所引起的。應(yīng)當(dāng)在刻蝕之后立即清除或中和硅片表面的殘留物。比較好的方法是在刻蝕之后,移出腔體之前,以碳氟化合物(如C凡、CH凡等)等離子體做表面處理,將殘留氯化物轉(zhuǎn)變?yōu)闊o反應(yīng)的氟化物,在鋁合金表面形成一層聚合物,阻止鋁合金與氯的進(jìn)一步反應(yīng)。必須把硅片暴露于濕氣中的時(shí)間降到最少,這是在金屬刻蝕機(jī)中集成一個(gè)去膠腔體的原因。
上一篇:鋁及鋁合金的干法刻蝕
上一篇:鎢的刻蝕
熱門點(diǎn)擊
- 基本光刻工藝流程
- 用萬用表檢測(cè)繼電器常開、常閉觸點(diǎn)的方法
- 摻雜濃度及雜質(zhì)類型對(duì)氧化速率的影響
- Ⅴ族施主雜質(zhì)在硅中的電離能很小
- 填隙式擴(kuò)散
- 風(fēng)云三號(hào)(FY-3)衛(wèi)星
- 刻蝕均勻性
- LPCVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速
- 掩模板的基本構(gòu)造及質(zhì)量要求
- APCVD工藝主要用于二氧化硅薄膜的制備
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究