質(zhì)譜分析
發(fā)布時(shí)間:2017/5/29 16:52:46 訪問(wèn)次數(shù):484
質(zhì)譜分析法是另一種終點(diǎn)探測(cè)的方法,它還可以提供在刻蝕前后,刻蝕腔內(nèi)成分的相關(guān)信息。這ICM7555CBAZ種方法是利用刻蝕腔壁上的洞來(lái)對(duì)等離子體中的物質(zhì)成分進(jìn)行取樣,取得的中性粒子被電子束電離成離子,所得的離子再經(jīng)過(guò)電磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn),不同質(zhì)量的離子偏轉(zhuǎn)程度不同,因而可把離子分辨開(kāi),不同的離子可借助改變電磁場(chǎng)而收集到。當(dāng)用在終點(diǎn)檢測(cè)時(shí),將電磁場(chǎng)固定在要觀測(cè)或分析所需要的電磁場(chǎng),觀測(cè)計(jì)數(shù)的連續(xù)變化即可得知刻蝕終點(diǎn)。
質(zhì)譜分析法的限制如下:
①部分物質(zhì)的質(zhì)量/電荷比相同,如N、CC)、⒏等,使得檢測(cè)同時(shí)擁有這些成分的刻蝕時(shí)無(wú)法判斷刻蝕是否完成;
②取樣的結(jié)果將影響刻蝕終點(diǎn)的探測(cè);
③質(zhì)譜分析設(shè)備不容易安裝到各種刻蝕機(jī)上。
質(zhì)譜分析法是另一種終點(diǎn)探測(cè)的方法,它還可以提供在刻蝕前后,刻蝕腔內(nèi)成分的相關(guān)信息。這ICM7555CBAZ種方法是利用刻蝕腔壁上的洞來(lái)對(duì)等離子體中的物質(zhì)成分進(jìn)行取樣,取得的中性粒子被電子束電離成離子,所得的離子再經(jīng)過(guò)電磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn),不同質(zhì)量的離子偏轉(zhuǎn)程度不同,因而可把離子分辨開(kāi),不同的離子可借助改變電磁場(chǎng)而收集到。當(dāng)用在終點(diǎn)檢測(cè)時(shí),將電磁場(chǎng)固定在要觀測(cè)或分析所需要的電磁場(chǎng),觀測(cè)計(jì)數(shù)的連續(xù)變化即可得知刻蝕終點(diǎn)。
質(zhì)譜分析法的限制如下:
①部分物質(zhì)的質(zhì)量/電荷比相同,如N、CC)、⒏等,使得檢測(cè)同時(shí)擁有這些成分的刻蝕時(shí)無(wú)法判斷刻蝕是否完成;
②取樣的結(jié)果將影響刻蝕終點(diǎn)的探測(cè);
③質(zhì)譜分析設(shè)備不容易安裝到各種刻蝕機(jī)上。
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