有研究表明,刻蝕硅時(shí),當(dāng)TMAH濃度在5%時(shí),刻蝕表面有大量小丘出現(xiàn),隨著濃度的不斷增加,ICM7555CD小丘的密度逐步降低,當(dāng)濃度超過22%時(shí),可以得到光滑的刻蝕表面。

   TMAH對(duì)硅的刻蝕速率隨著溫度的升高而增加,在溫度低于glD℃時(shí),刻蝕速率不超過11幾m/而n。同時(shí),刻蝕速率隨著TMAH的濃度增加而降低。在溫度為9()℃、濃度為5%時(shí),TMAH刻蝕硅(100)的速率接近1,5um/min,當(dāng)濃度增加到22%,刻蝕速率降低1.0um/min,在濃度為40%時(shí),刻蝕速率降低至不到0.5um/min。因此,要獲得光滑的刻蝕表面,要求的濃度增加與刻蝕速率隨濃度降低形成一對(duì)矛盾。

   但是,在TMAH中添加硅酸(H2sα)、過硫酸銨E(NH.)2s20s彐或異丙醇(IPA),通過添加劑的強(qiáng)氧化作用,促使小丘不能形成,可以獲得光滑的刻蝕表面。經(jīng)過TMΛH+硅酸+過硫酸銨混合液刻蝕硅(100)125min后,可以獲得光滑的刻蝕表面。