⒛世紀8O年代中期以后發(fā)展起來的LIGA加工、微細電火花加工(EDM)、超聲波IC-PST600CMT-R加工等微細加工方法只能加工簡單的二維圖形,對于復(fù)雜二維圖形的加I需要研究新的加工方法。針對這一難題,田昭武院士等提出的約束刻蝕劑層技術(shù)(Connnes Rc・hallt Layer Tecl△tliqL1e,CEI'T)是用于三維超微(納米)圖形復(fù)制加工的新型技術(shù)。該方法的基本原理是通過化學(xué)反應(yīng)或其他湮滅方式來消除自電極向外擴散得較遠的刻蝕劑,從而達到約束刻蝕劑層厚度的目的。CEI'T是一種既與現(xiàn)有的傳統(tǒng)鑄膜I藝和r以及LIGA工藝不同叉相互補充的新型化學(xué)加工技術(shù)。其最大特點是能夠在半導(dǎo)體及金屬等多種材料上實現(xiàn)二維立體微結(jié)構(gòu)的加工和復(fù)制。

   在CELT電化學(xué)微加I過程中,加工探針與被加工工件之間的間隙的控制,將是影響CELT電化學(xué)微加△質(zhì)量和刻蝕加工成功的重要囚素,而兩者之間的間隙調(diào)整是通過納米級微定位工作臺和微力傳感器來實現(xiàn)的。帶有微力傳感器的微定位I作臺的性能指標,將直接影響CELT電化學(xué)微加置的效果。因此,具有微力傳感的納米級微定位技術(shù)是CEI'T電化學(xué)微加工儀器研究的關(guān)鍵技術(shù)。