暈圈反型雜質(zhì)摻雜結(jié)構(gòu)和大角度注入反型雜質(zhì)摻雜結(jié)構(gòu)

   S/D延伸區(qū)的結(jié)深不但要求縱向結(jié)淺,PAM3101AAA330也要求橫向雜質(zhì)擴(kuò)散小,以更好地改善短溝道效應(yīng)和抑制吖D穿通效應(yīng)。為此,有了暈圈反型雜質(zhì)摻雜結(jié)構(gòu)(Hdo注人)和大角度注入反型雜質(zhì)摻雜結(jié)構(gòu)(Pocl【et注人)。Halo注人摻雜實(shí)為雙注人LDD結(jié)構(gòu),n LDD區(qū)周圍環(huán)繞一個(gè)盯區(qū)(I1alo區(qū)),p區(qū)周圍環(huán)繞一個(gè)n區(qū)(Hdo區(qū))。Pocl【ct注入摻雜實(shí)為大角度傾斜旋轉(zhuǎn)注入,一般以多晶硅柵和吖D做自對(duì)準(zhǔn)掩蔽。它比Hdo注人有更小的結(jié)電容,有利于速度的改善。因?yàn)樗画h(huán)繞LDD區(qū)和吖D區(qū)鄰接處,這樣不增加nˉ和p-D區(qū)下的雜質(zhì)濃度。

   CMOs電路工藝流程

   CMOS工藝是當(dāng)今各類集成電路制作技術(shù)的核心,由它可衍生出不同的工藝。圖12△5所示為CM(B工藝集成和對(duì)應(yīng)變化。標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝主要應(yīng)用于高性能、低功耗的數(shù)字集成電路。如果“CMOS+浮柵”,標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝就轉(zhuǎn)化為M(,~S可擦寫存儲(chǔ)器工藝。