源漏延伸區(qū)結(jié)構(gòu)是從LDD結(jié)構(gòu)發(fā)展而來的c隨著器件尺寸的進(jìn)一步減小,雖然漏PAM3101AAA300極電場(chǎng)也增加,但該電場(chǎng)加速的路程也隨之減小,因而熱載流子效應(yīng)退居次要位置,而短溝道效應(yīng)成為首要問題。由于源漏延伸區(qū)與溝道直接相連,它的結(jié)深和橫向擴(kuò)展對(duì)短溝道應(yīng)具有極其重要的影響,同時(shí)它的等效串聯(lián)電阻對(duì)器件驅(qū)動(dòng)電流大小也產(chǎn)生重要影響。故源/漏延伸區(qū)比LDD結(jié)構(gòu)需要更淺的結(jié)深和更高、更陡的摻雜濃度分布。

   在0.1Im CR/IfB器件中必須采用超淺的高摻雜濃度的源/漏(S/D延伸區(qū)結(jié)構(gòu),其目的是抑制短溝道效應(yīng),獲得低的吖D串聯(lián)電阻,同時(shí)與深的吖D結(jié)相結(jié)合以實(shí)現(xiàn)硅化物自對(duì)準(zhǔn)工藝,而不增加結(jié)漏電。

    高表面濃度、超淺延伸區(qū)結(jié)形成方法有多種,包括固相擴(kuò)散、通過s(`注入再快速熱退火(R趴)、低能注人、預(yù)無定形注人加低能注人再RT~A、等離子浸潤(rùn)等方法c其中低能注入是大生產(chǎn)中普遍采用的方法,但是需要專門的昂貴的注入設(shè)備。預(yù)無定形注入加低能注入也是人們青睞的制備超淺結(jié)的方法。因?yàn)轭A(yù)無定形注人有效地抑制了離子注人的溝道效應(yīng),便于實(shí)現(xiàn)淺結(jié)。同時(shí)無定形注人層在退火時(shí)產(chǎn)生的固相外延生長(zhǎng),對(duì)消除損傷、抑制瞬時(shí)增強(qiáng)擴(kuò)散、獲得淺結(jié)有利。無定形注人離子一般選擇重離子為宜,常用的有In、乩、Ce、As、F等,早期有用s的,效果不好。同樣能量下離子質(zhì)量越大、越重,形成無定形層所需的劑量就越低,這樣損傷小J寸減小漏電有利。