1化學(xué)腐蝕法

   化學(xué)腐蝕法是晶體缺陷的常規(guī)檢測方法。對于各 M36W0R6040T0ZAQT種缺陷已有多種成熟的腐蝕液配方。

   2.X射線形貌照相法

   用于檢測位錯、層錯和夾雜物等。當(dāng)X射線通過晶體時,會發(fā)生偏離原來入射方向的X射線,即X射線的衍射。如果晶體中存在缺陷,這種衍射會在缺陷引起的晶格畸變區(qū)大為增強,衍射強度反映了晶格畸變的程度,可用照相底片記錄,或用X光導(dǎo)攝像管通過CRT屏幕觀察。

   3銅綴飾技術(shù)

    X射線形貌法不能用于直接檢測微缺陷,這是因為它的分辨能力為數(shù)微米,而微缺陷的線度小于1um,晶格畸變區(qū)太小。若把樣品經(jīng)過銅綴飾使微缺陷產(chǎn)生的晶格畸變區(qū)擴大就可以用X射線形貌法檢測了。綴飾后的硅片也可以用紅外顯微鏡觀察。

    銅綴飾的過程是:先在樣品表面滴上硝酸銅溶液后烘干或在硅片表面真空蒸發(fā)一層銅,在900~950℃Ar氣氛中擴散1小時,然后快速冷卻到室溫,這時過飽和的銅就會擇優(yōu)淀積在微缺陷處,再把樣品研磨和化學(xué)拋光,去除硅銅合金層和表面應(yīng)力。

   在X射線形貌照片上和紅外顯微鏡下,微缺陷呈現(xiàn)具有一定結(jié)晶學(xué)方向的花瓣狀圖像,但對特別小的缺陷,則呈黑點狀。