隨著微電子工業(yè)的發(fā)展,要求把薄層電阻測(cè)試結(jié)構(gòu)做得盡可能小。為此發(fā)展PAL20L8ACNS了各種形狀的薄層電阻測(cè)試結(jié)構(gòu),主要是各種方形十字結(jié)構(gòu)。常用的有偏移方形十字結(jié)構(gòu)(如圖135所示)、大正(Gr∝k)十字形結(jié)構(gòu)(如圖136所示)和小正十字形結(jié)構(gòu)(如圖137所示)。其中正十字形結(jié)構(gòu)從工藝角度看可做得很小。

   這些結(jié)構(gòu)本身可以做得很小。但接觸處無(wú)法符合Ⅵ)P結(jié)構(gòu)所要求的點(diǎn)接觸。它們和ˇ0P結(jié)構(gòu)的偏離,使測(cè)量值和實(shí)際值不一致。經(jīng)計(jì)算,設(shè)計(jì)正十字形測(cè)試結(jié)構(gòu)時(shí),只要臂長(zhǎng)大于臂寬,其誤差即可小于0。l%。這種測(cè)試結(jié)構(gòu)是一種極好的VDP結(jié)構(gòu),允許測(cè)量很小區(qū)域的薄層電阻,其寬度僅受制造I藝的限制。