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掩膜套準測試結(jié)構(gòu)

發(fā)布時間:2017/6/1 20:19:45 訪問次數(shù):530

   隨著大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,電路圖形的線寬越來越小,光刻工藝中的套準問題變得越來越重要。掩膜套準測試結(jié)構(gòu)就是用來檢測套準誤差的。PAM3101DAB280套準誤差的定量測量可以用光學方法,也可以用電學方法。

   工藝缺陷測量――隨機缺陷測試結(jié)構(gòu)

   采用電學測試方法確定與基本工藝結(jié)構(gòu)相關(guān)的缺陷及其密度分布,并可由此預(yù)測成品率的測試結(jié)構(gòu)叫做隨機缺陷測試結(jié)構(gòu),有下面幾種。

   (1)鋁條連續(xù)性測試結(jié)構(gòu)

   條狀圖形為鋁條,其下面為氧化層和多晶硅的臺階,鋁條的設(shè)計尺寸與跨越的臺階數(shù)盡量與實際電路工藝結(jié)構(gòu)一致。這個測試結(jié)構(gòu)的作用有:測得鋁條電阻可作為鋁條連續(xù)性的量度;與不跨越臺階的鋁條電阻相比較,可考察鋁條在臺階處的減薄情況,從而對光刻和回流工藝做出評價;其中包含兩組有一定間隔的鋁條,可用來考察其間的短路情況;如果采用兩組相互垂直和十字交叉,但之間由介質(zhì)層隔開的鋁條或多晶硅條,則可以考察兩導(dǎo)電層之間的層絕緣情況。

   (2)接觸鏈測試結(jié)構(gòu)

   模擬實際I藝,采用A卜⒊接觸、多晶硅一摻雜層隱埋接觸以及雙層鋁或多晶硅接觸等多種形式,把各種導(dǎo)電層串接起來,構(gòu)成接觸鏈測試結(jié)構(gòu)?梢钥疾煊袩o斷路、接觸失效以及不同接觸孔尺寸下的工藝成品率。既可以作為工藝診斷的工具,也可當做接觸孔尺寸設(shè)計規(guī)則制定的判據(jù)。


   隨著大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,電路圖形的線寬越來越小,光刻工藝中的套準問題變得越來越重要。掩膜套準測試結(jié)構(gòu)就是用來檢測套準誤差的。PAM3101DAB280套準誤差的定量測量可以用光學方法,也可以用電學方法。

   工藝缺陷測量――隨機缺陷測試結(jié)構(gòu)

   采用電學測試方法確定與基本工藝結(jié)構(gòu)相關(guān)的缺陷及其密度分布,并可由此預(yù)測成品率的測試結(jié)構(gòu)叫做隨機缺陷測試結(jié)構(gòu),有下面幾種。

   (1)鋁條連續(xù)性測試結(jié)構(gòu)

   條狀圖形為鋁條,其下面為氧化層和多晶硅的臺階,鋁條的設(shè)計尺寸與跨越的臺階數(shù)盡量與實際電路工藝結(jié)構(gòu)一致。這個測試結(jié)構(gòu)的作用有:測得鋁條電阻可作為鋁條連續(xù)性的量度;與不跨越臺階的鋁條電阻相比較,可考察鋁條在臺階處的減薄情況,從而對光刻和回流工藝做出評價;其中包含兩組有一定間隔的鋁條,可用來考察其間的短路情況;如果采用兩組相互垂直和十字交叉,但之間由介質(zhì)層隔開的鋁條或多晶硅條,則可以考察兩導(dǎo)電層之間的層絕緣情況。

   (2)接觸鏈測試結(jié)構(gòu)

   模擬實際I藝,采用A卜⒊接觸、多晶硅一摻雜層隱埋接觸以及雙層鋁或多晶硅接觸等多種形式,把各種導(dǎo)電層串接起來,構(gòu)成接觸鏈測試結(jié)構(gòu)。可以考察有無斷路、接觸失效以及不同接觸孔尺寸下的工藝成品率。既可以作為工藝診斷的工具,也可當做接觸孔尺寸設(shè)計規(guī)則制定的判據(jù)。


相關(guān)技術(shù)資料
6-1掩膜套準測試結(jié)構(gòu)
5-30nMOS LDD的形成
相關(guān)IC型號
PAM3101DAB280
暫無最新型號

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