(l)分析測量誤差的來源。

   (2)光學(xué)干涉法測量薄膜厚度的極限精度能達到多少?

   光刻腐蝕基區(qū)

   光刻腐蝕是一種復(fù)印圖像同化學(xué)腐蝕相結(jié)合的綜合技術(shù)。在此,光刻是將光刻版上基區(qū)圖形精確地復(fù)印在氧化層表面的光刻膠上;然后,TAS5112ADCA利用光刻膠的掩膜作用,對氧化層進行選擇性化學(xué)腐蝕,從而在氧化層卜得到基區(qū)圖形(工藝原理略)。

   工藝設(shè)備與工藝條件

   工藝設(shè)備:接近式紫外光刻機,旋轉(zhuǎn)涂膠機,金相顯微鏡,烘箱。

掩膜版、膠:光刻版為金屬鉻版,基區(qū)掩膜圖形如圖肛5所示(注意:如光刻版為正版時,光刻膠也應(yīng)為正膠),正膠。

   試劑:顯影液(可自行配置),定影液,98%H2S04,HF,NH1F。光刻條件:干燥,溫度120℃、時間30min;前烘,溫度90℃、時間10min;曝光,時間40s;后烘,溫度140°C,時間30mlll。

   工藝條件應(yīng)視具體使用的光刻設(shè)各、光刻膠、光刻版給出初始∷條件,再由陪片進行工藝摸索后確定。