1 氧化層臺階的制備

   取一小片已氧化的陪片,在其表TAS5012IPFB面涂抹一點黑膠,將此硅片置于載玻片,放在電爐上加熱,使黑膠熔化覆蓋在硅片的一小區(qū)域。然后,將硅片浸入氫氟酸腐蝕液中,腐蝕去除未被黑膠覆蓋區(qū)域的氧化層。在腐蝕過程中,應(yīng)常用鑷子取出硅片,注意觀察硅片的親/疏水特性,因氧化層親水,而硅疏水,如果硅片表面疏水,則說明裸露的氧化層已被腐蝕干凈,應(yīng)立即取出,以免過腐蝕,造成臺階過窄。反復(fù)用超純水沖洗硅片,再用濾紙吸干水分。最后,用甲苯棉球?qū)⒑谀z擦除。在硅片表面形成氧化層臺階。

   2測量薄膜厚度

   將帶氧化層臺階的硅片置于金相顯微鏡的載物臺上,觀察氧化層臺階,讀出干涉亮(或暗)條紋數(shù)。將得出的干涉條紋數(shù),代人式(A13),計算出氧化層厚度。