先用陪片確定預(yù)淀積工藝條件
發(fā)布時間:2017/6/3 23:10:23 訪問次數(shù):1528
預(yù)淀積
(1先用陪片確定預(yù)淀積工藝條件。陪片擺放在硼 TAS5706PAPR源兩側(cè),推人擴(kuò)散爐975℃恒溫區(qū),氮氣流量為0.5L'/mh,時間在15min左右。
(2)取出的陪片漂掉硼硅玻璃(腐蝕液:HF:叱O=1:10)。測方塊電阻,若阻值在之間,即合格,若方塊電阻,應(yīng)縮短預(yù)淀積時間,若方塊電阻),應(yīng)延長預(yù)淀積時間,直至合格。
(3)以陪片合格的工藝條件對正片進(jìn)行預(yù)淀積擴(kuò)散。正片在石英舟上擺放時,放置在BN源片的兩側(cè),光刻窗口與BN源片相對,間距均勻一致;勻速緩慢地將石英舟推人擴(kuò)散爐恒溫區(qū),進(jìn)行預(yù)淀積。
(4)預(yù)淀積時間一到,立即將石英舟勻速、緩慢地拖至爐口;停爐,停氣。
漂硼硅玻璃
(1)預(yù)淀積之后的正片在HF:H20腐蝕液中漂基區(qū)窗口的硼硅玻璃,漂至硅片背面不掛水,時間大約8s,放人超純水中。
(2)用冷、熱超純水反復(fù)漂洗硅片,至清洗干凈,放在超純水中待用。
再分布
(1)再分布擴(kuò)散的同時進(jìn)行二次熱氧化。
(2)用漂過硼硅玻璃的陪片來確定再分布工藝條件。陪片推人1170℃恒溫區(qū),調(diào)整時間在5mh干氧940min濕氧98rl,ln干氧左右。
(3)取出陪片,用HF:燉O=卜1的腐蝕液去除氧化層。測方塊電阻,當(dāng)阻值在⒛~100σ□時,合格。
(4)以陪片工藝條件進(jìn)行正片的再分布。將正片緩慢推人恒溫區(qū),進(jìn)行正片硼再分布。
(5)再分布時間一到,立即將石英舟勻速、緩慢地拖至爐口;停爐,停氣。
預(yù)淀積
(1先用陪片確定預(yù)淀積工藝條件。陪片擺放在硼 TAS5706PAPR源兩側(cè),推人擴(kuò)散爐975℃恒溫區(qū),氮氣流量為0.5L'/mh,時間在15min左右。
(2)取出的陪片漂掉硼硅玻璃(腐蝕液:HF:叱O=1:10)。測方塊電阻,若阻值在之間,即合格,若方塊電阻,應(yīng)縮短預(yù)淀積時間,若方塊電阻),應(yīng)延長預(yù)淀積時間,直至合格。
(3)以陪片合格的工藝條件對正片進(jìn)行預(yù)淀積擴(kuò)散。正片在石英舟上擺放時,放置在BN源片的兩側(cè),光刻窗口與BN源片相對,間距均勻一致;勻速緩慢地將石英舟推人擴(kuò)散爐恒溫區(qū),進(jìn)行預(yù)淀積。
(4)預(yù)淀積時間一到,立即將石英舟勻速、緩慢地拖至爐口;停爐,停氣。
漂硼硅玻璃
(1)預(yù)淀積之后的正片在HF:H20腐蝕液中漂基區(qū)窗口的硼硅玻璃,漂至硅片背面不掛水,時間大約8s,放人超純水中。
(2)用冷、熱超純水反復(fù)漂洗硅片,至清洗干凈,放在超純水中待用。
再分布
(1)再分布擴(kuò)散的同時進(jìn)行二次熱氧化。
(2)用漂過硼硅玻璃的陪片來確定再分布工藝條件。陪片推人1170℃恒溫區(qū),調(diào)整時間在5mh干氧940min濕氧98rl,ln干氧左右。
(3)取出陪片,用HF:燉O=卜1的腐蝕液去除氧化層。測方塊電阻,當(dāng)阻值在⒛~100σ□時,合格。
(4)以陪片工藝條件進(jìn)行正片的再分布。將正片緩慢推人恒溫區(qū),進(jìn)行正片硼再分布。
(5)再分布時間一到,立即將石英舟勻速、緩慢地拖至爐口;停爐,停氣。
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